[发明专利]程序化一多阶存储器的装置与方法有效
申请号: | 201010260654.X | 申请日: | 2010-08-20 |
公开(公告)号: | CN102034527A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 何信义;李家庆;洪俊雄 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种程序化一存储装置的方法,该存储装置包含多个存储单元,包含以一第一程序化阶段的一第一临时电压(PPV’1)验证目标为一第一阶级的一第一存储单元,在该第一程序化阶段中将目标为该第一阶级的该第一存储单元程序化,及使用该第一程序化阶段的一第一后验证电压(PV’1)对该第一存储单元进行验证,其中该第一后验证电压与该第一临时电压不相同。本发明亦提供一对应的装置。 | ||
搜索关键词: | 程序化 一多阶 存储器 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种程序化一存储装置的方法,该存储装置包含多个存储单元,包含:以一第一程序化阶段的一第一临时电压(PPV’1)验证目标为一第一阶级的一第一存储单元;在该第一程序化阶段中将目标为该第一阶级的该第一存储单元程序化;以及使用该第一程序化阶段的一第一后验证电压(PV’1)对该第一存储单元进行验证,其中该第一后验证电压与该第一临时电压不相同。
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