[发明专利]程序化一多阶存储器的装置与方法有效

申请号：	201010260654.X	申请日：	2010-08-20
公开（公告）号：	CN102034527A	公开（公告）日：	2011-04-27
发明（设计）人：	何信义;李家庆;洪俊雄	申请（专利权）人：	旺宏电子股份有限公司
主分类号：	G11C11/4063	分类号：	G11C11/4063
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	周国城
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	程序化一多阶存储器装置方法
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【权利要求书】：

1.一种程序化一存储装置的方法，该存储装置包含多个存储单元，包含：

以一第一程序化阶段的一第一临时电压(PPV’1)验证目标为一第一阶级的一第一存储单元；

在该第一程序化阶段中将目标为该第一阶级的该第一存储单元程序化；以及

使用该第一程序化阶段的一第一后验证电压(PV’1)对该第一存储单元进行验证，其中该第一后验证电压与该第一临时电压不相同。

2.如权利要求1所述的程序化一存储装置的方法，还包含：

在一第二程序化阶段中将目标为该第一阶级的该第一存储单元程序化；以及

使用该第二程序化阶段的一第一后验证电压(PV1)对目标为该第一阶级的该第一存储单元进行验证。

3.如权利要求1所述的程序化一存储装置的方法，其中，于验证该第一存储单元之前，该方法还包含：

以该第一程序化阶段的一第二临时电压(PPV’2)验证目标为一第二阶级的一第二存储单元；

在该第一程序化阶段中将目标为该第二阶级的该第二存储单元程序化；以及

使用该第一程序化阶段的一第二后验证电压(PV’2)对该第二存储单元进行验证。

4.如权利要求3所述的程序化一存储装置的方法，其中，于验证该第二存储单元之前，该方法还包含：

以该第一程序化阶段的一第三临时电压(PPV’3)验证目标为一第三阶级的一第三存储单元；

在该第一程序化阶段中将目标为该第三阶级的该第三存储单元程序化；以及

使用该第一程序化阶段的一第三后验证电压(PV’3)对该第三存储单元进行验证。

5.一种存储装置，包含：

一存储阵列具有多个存储单元；

一控制器以程序化及验证该多个存储单元，其中该控制器执行以一第一程序化阶段的一第一临时电压(PPV’1)验证目标为一第一阶级的一第一存储单元，及在该第一程序化阶段中将目标为该第一阶级的该第一存储单元程序化再使用该第一程序化阶段的一第一后验证电压(PV’1)对该第一存储单元进行验证，其中该第一后验证电压与该第一临时电压不相同。

6.如权利要求5所述的存储装置，其中该控制器更组态为：