[发明专利]聚合物除去装置和聚合物除去方法有效
| 申请号： | 201010258179.2 | 申请日： | 2010-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101996865A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 新藤健弘;近藤昌树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种聚合物除去装置和聚合物除去方法，能提高生产能力且能抑制伴随被处理基板的旋转产生的微粒和因热应力导致的聚合物的剥离，能除去以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物。该聚合物除去装置对以环状附着在被处理基板(W)的周缘部上的聚合物(2)进行除去，包括：处理容器(11)，收容在周缘部上以环状附着有聚合物的被处理基板(W)；载置被处理基板(W)的载置台(12)；激光照射部(20)，使环状激光一并照射在以环状附着在被处理基板(W)的聚合物(2)上；臭氧气体供给机构(15、19)，向以环状附着在被处理基板(W)上的所述聚合物供给臭氧气体；和对臭氧气体进行排气的排气机构(23、24)。 | ||
| 搜索关键词： | 聚合物 除去 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种聚合物除去装置，对以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物进行除去，其特征在于，包括：处理容器，该处理容器收容在周缘部上以环状附着有聚合物的被处理基板；载置所述被处理基板的载置台；激光照射部，该激光照射部对以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物一并地照射环状激光；臭氧气体供给机构，该臭氧气体供给机构向以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物供给臭氧气体；和对臭氧气体进行排气的排气机构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
