[发明专利]聚合物除去装置和聚合物除去方法有效
| 申请号： | 201010258179.2 | 申请日： | 2010-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101996865A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 新藤健弘;近藤昌树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 聚合物 除去 装置 方法 | ||
1.一种聚合物除去装置，对以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物进行除去，其特征在于，包括：
处理容器，该处理容器收容在周缘部上以环状附着有聚合物的被处理基板；
载置所述被处理基板的载置台；
激光照射部，该激光照射部对以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物一并地照射环状激光；
臭氧气体供给机构，该臭氧气体供给机构向以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物供给臭氧气体；和
对臭氧气体进行排气的排气机构。
2.如权利要求1所述的聚合物除去装置，其特征在于：
所述聚合物附着在所述被处理基板的背面的周缘部上，
所述激光照射部被设置在所述被处理基板的上方，
所述聚合物除去装置还包括反射部件，该反射部件使从所述激光照射部射出的激光向附着在所述被处理基板上的聚合物反射。
3.如权利要求1或2所述的聚合物除去装置，其特征在于：
该聚合物除去装置还包括向所述被处理基板供给冷却气体的冷却气体供给机构。
4.一种聚合物除去方法，对以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物进行除去，其特征在于，包括：
将在周缘部上以环状附着有聚合物的被处理基板载置在载置台上的工序；
使环状激光一并地照射在以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物上的工序；和
在照射所述激光时，向以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物供给臭氧气体的工序。
5.如权利要求4所述的聚合物除去方法，其特征在于：
该聚合物除去方法还包括在照射所述激光时，向所述被处理基板供给冷却气体的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
