[发明专利]聚合物除去装置和聚合物除去方法

说明书

技术领域

本发明涉及对环状附着在衬底的周缘部上的聚合物进行除去的聚合物除去装置以及聚合物除去方法。

背景技术

在半导体集成电路的制造中，对半导体晶片等被处理基板进行等离子蚀刻，但在等离子中发生的原子团或离子向被处理基板的周缘部的倾斜面以及背面蔓延，聚合物附着在倾斜面以及背面上，在被处理基板的周缘部上以圆周状形成被称为倾斜/后方聚合物(Bevel/Backside Polymer，以下称为BSP)的堆积层。BSP可能会对半导体集成电路产生不好的影响，因此，需要将其除去，在专利文献1中公开了一种通过使用激光和臭氧的热处理来除去BSP的技术。

在专利文献1公开的技术中，由于激光以点状被照射，通过使被处理基板旋转，边使被处理基板上的激光照射位置偏移边使激光照射以圆周状存在于被处理基板的周缘部上的BSP。

专利文献1：日本特开2009-123831号公报

但是，在这样使被处理基板和激光相对移动，边使被处理基板上的激光照射位置偏移边进行激光照射的情况下，BSP除去处理需要花费时间，BSP除去处理的生产能力较低。另外，为了提高生产能力，考虑使用高输出的激光，并使被处理基板以高速进行旋转，但是，在以高速使其旋转的情况下，由于进行转速的加减速需要花费时间，因此，不能期望大幅度地改善生产能力，相反，还可能因环境气体的搅拌作用产生微粒。而且，在这样使高输出激光照射在高速旋转的被处理基板上的情况下，在激光照射位置进行急速的加热以及冷却，因热应力BSP易发生剥离，成为污染被处理基板的原因。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种聚合物除去装置以及聚合物除去方法，其能够提高生产能力，且能够抑制伴随被处理基板的旋转而产生的微粒以及因热应力导致的聚合物的剥离，同时，能够除去以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物。

本发明的聚合物除去装置，对以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物进行除去，其特征在于，包括：处理容器，该处理容器收容在周缘部上以环状附着有聚合物的被处理基板；载置所述被处理基板的载置台；激光照射部，该激光照射部对以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物一并地照射环状激光；臭氧气体供给机构，该臭氧气体供给机构向以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物供给臭氧气体；和对臭氧气体进行排气的排气机构。

本发明的聚合物除去方法，对以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物进行除去，其特征在于，包括：将在周缘部上以环状附着有聚合物的被处理基板载置在载置台上的工序；使环状激光一并地照射在以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物上的工序；和在照射所述激光时，向以环状附着在所述被处理基板上的所述聚合物供给臭氧气体的工序。

根据本发明，被处理基板载置在载置台上，由于使环状激光一并地照射在以环状附着在该被处理基板上的聚合物上，所以，与以往使用点状的激光的情况相比，能够显著地提高生产能力。因此，能够使用低输出的激光照射部的激光源，能够在不使生产能力降低的情况下充分地对照射部进行加热以及冷却，在确保高生产能力的同时，能够降低热应力，使附着的聚合物剥离的情况难以发生。另外，由于无需使被处理基板旋转，所以，在处理中不会发生环境气体的搅拌，能够抑制微粒的发生。

附图说明

图1是表示本发明的一个实施方式的聚合物除去装置的剖视图。

图2是表示设在图1的聚合物除去装置上的、射出环状激光的激光照射单元的构造的图。

图3是表示本发明的其他的实施方式的聚合物除去装置的剖视图。

图4是表示图3的聚合物除去装置的变形例的剖视图。

图5是用于说明激光照射单元的其他的配置例的剖视图。

附图标记的说明

1、1′：聚合物除去装置

2：BSP

11：腔室

12、12′：载置台

15：臭氧气体喷出孔

19：臭氧气体供给源

20、20′：激光照射单元

22：镜部件(反射部件)

22a：镜面(反射面)

23：排气单元

24：排气配管

40：控制部

50、50′：晶片冷却机构

L：环状激光

W：晶片

具体实施方式

以下，参照附图对实施本发明的方式进行说明。

图1是表示本发明的一个实施方式的聚合物除去装置的剖视图。