[发明专利]用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法有效
申请号: | 201010254914.2 | 申请日: | 2010-08-06 |
公开(公告)号: | CN101996904A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 滨谷敏次;福留贵浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;徐予红 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法,为了提供用于使用除激光束照射之外的手段在暴露端子部分(用绝缘膜密封)的步骤中在该绝缘膜(其通过固化包括增强材料的半固化片而获得)中高准确度地形成开口的方法。突出物使用导体形成。包括增强材料的未固化的半固化片紧密贴附到该突出物并且该半固化片固化,使得包括该增强材料的绝缘膜形成。该绝缘膜的顶面的一部分由于该突出物而突出。该突出部分连同增强材料通过研磨处理等优先去除以在绝缘膜中形成开口,使得暴露突出物的开口在绝缘膜中形成。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 端子 结构 方法 电子器件 | ||
【主权项】:
一种用于制造端子结构的方法,其包括步骤:在绝缘表面上形成使用导体形成的突出物;贴附包括增强材料的半固化片到所述绝缘表面和所述突出物的表面以形成所述半固化片的顶面的一部分,其由于所述突出物而突出;固化贴附到所述绝缘表面和所述突出物的表面的所述半固化片以形成包括所述增强材料的绝缘膜;以及去除所述绝缘膜的顶面的突出部分连同所述增强材料以在所述绝缘膜中形成开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造