[发明专利]用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造端子结构的方法，其包括步骤：

在绝缘表面上形成使用导体形成的突出物；

贴附包括增强材料的半固化片到所述绝缘表面和所述突出物的表面以形成所述半固化片的顶面的一部分，其由于所述突出物而突出；

固化贴附到所述绝缘表面和所述突出物的表面的所述半固化片以形成包括所述增强材料的绝缘膜；以及

去除所述绝缘膜的顶面的突出部分连同所述增强材料以在所述绝缘膜中形成开口。

2.如权利要求1所述的用于制造端子结构的方法，其中所述开口通过研磨所述绝缘膜在所述绝缘膜中形成。

3.如权利要求1所述的用于制造端子结构的方法，进一步包括步骤：

在所述开口形成后形成与所述突出物接触的导体。

4.如权利要求1所述的用于制造端子结构的方法，其中所述增强材料是片状纤维体。

5.一种用于制造电子器件的方法，其包括步骤：

制备用第一绝缘膜覆盖的一个或多个电子元件；

在所述第一绝缘膜上形成使用电连接到所述电子元件中的至少一个的导体形成的突出物；

贴附包括增强材料的半固化片到所述第一绝缘膜的顶面和所述突出物的表面以形成所述半固化片的顶面的一部分，其由于所述突出物而突出；

固化贴附到所述第一绝缘膜的顶面和所述突出物的表面的所述半固化片以形成包括所述增强材料的第二绝缘膜；以及

去除所述第二绝缘膜的顶面的突出部分连同所述增强材料以在所述第二绝缘膜中形成开口。

6.如权利要求5所述的用于制造电子器件的方法，其中所述开口通过研磨所述第二绝缘膜在所述第二绝缘膜中形成。

7.如权利要求5所述的用于制造电子器件的方法，进一步包括步骤：

在所述开口形成后形成与所述突出物接触的导体。

8.如权利要求5所述的用于制造电子器件的方法，其中所述增强材料是片状纤维体。

9.一种用于制造电子器件的方法，其包括步骤：

在衬底上形成分离膜；

在所述分离膜上形成第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上形成包括多个电子元件的电路；

形成覆盖所述电路的第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜上形成使用电连接到所述电子元件中的至少一个的导体形成的突出物；

贴附包括第一增强材料的第一半固化片到所述第二绝缘膜的顶面和所述突出物的表面以形成所述第一半固化片的顶面的一部分，其由于所述突出物而突出；

固化贴附到所述第二绝缘膜的顶面和所述突出物的表面的所述第一半固化片以形成包括所述第一增强材料的第三绝缘膜；

去除所述第三绝缘膜的顶面的突出部分连同所述第一增强材料以在所述第三绝缘膜中形成开口；

分离所述电路与所述衬底；

在所述衬底分离后贴附包括第二增强材料的第二半固化片到所述第一绝缘膜以便覆盖所述第一绝缘膜；以及

固化所述第二半固化片以形成包括所述第二增强材料的第四绝缘膜。

10.如权利要求9所述的用于制造电子器件的方法，进一步包括步骤：

电连接天线到由在所述第三绝缘膜中形成的所述开口暴露的所述突出物。

11.如权利要求9所述的用于制造电子器件的方法，进一步包括步骤：

在所述衬底与所述电路分离前形成与由所述开口暴露的所述突出物紧密接触的导体。

12.如权利要求9所述的用于制造电子器件的方法，进一步包括步骤：

在所述衬底与所述电路分离前形成与由所述开口暴露的所述突出物紧密接触的导体；以及

电连接所述导体和天线。

13.如权利要求9所述的用于制造电子器件的方法，其中所述开口通过研磨所述第三绝缘膜在所述第三绝缘膜中形成。

14.如权利要求9所述的用于制造电子器件的方法，其中所述第一增强材料和所述第二增强材料是片状纤维体。

15.如权利要求9所述的用于制造电子器件的方法，其中所述电路在所述分离膜内的区域与所述衬底分离。

16.如权利要求9所述的用于制造电子器件的方法，其中所述电路在所述分离膜和所述第一绝缘膜之间的界面与所述衬底分离。