[发明专利]用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法有效
申请号: | 201010254914.2 | 申请日: | 2010-08-06 |
公开(公告)号: | CN101996904A | 公开(公告)日: | 2011-03-30 |
发明(设计)人: | 滨谷敏次;福留贵浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 朱海煜;徐予红 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 端子 结构 方法 电子器件 | ||
技术领域
在本说明书中,将描述包括用绝缘膜覆盖的导体的端子结构。此外,还将描述提供有具有这样的结构的端子的电子器件。
背景技术
通过固化包括增强材料(例如玻璃纤维或玻璃填充料等)的半固化片(prepreg)形成的树脂层应用于印刷线路板、电子器件或其类似物的支撑体、绝缘膜、保护材料或其类似物(例如,参见专利文件1至4)。由于形成多层布线,穿透使用半固化片形成的树脂层的开口在该层中形成以便与外部形成电连接部分。
例如,专利文件1公开印刷线路板的绝缘层使用半固化片形成并且在该绝缘层中的开口用激光处理、钻孔或冲孔形成。
专利文件2和3公开开口通过执行激光束照射步骤或光学光刻步骤在固化的半固化片中形成以便形成用固化的半固化片密封的电子器件的连接端子。
专利文件4公开电子部件的支撑体使用半固化片形成并且形成树脂层,其中电子部件和电连接到该电子部件的导体嵌入其中并且研磨该树脂层的表面以便暴露该导体。
参考文献
[专利文件1]日本公布的专利申请No.2007-091822
[专利文件2]日本公布的专利申请No.2008-257710
[专利文件3]日本公布的专利申请No.2008-262547
[专利文件4]日本公布的专利申请No.2002-290006
发明内容
通过使用包括增强材料的半固化片作为密封膜,电子元件可以用包括该增强材料的树脂膜密封;因此,电子元件的强度可以增加。同时,在开口在密封膜中形成以便暴露电子元件的抽取端子的情况下,增强材料还需要与树脂膜一起被去除。当开口在树脂膜中形成时增强材料是麻烦的。
如在专利文件1中公开的,开口用钻孔、冲孔和用激光束的处理在使用半固化片形成的树脂膜中形成。对于在电子元件用其密封的树脂层中开口的形成,钻孔处理和冲孔处理是不合适的。采用用激光束的处理以便不损伤电子元件。
然而,使用激光束形成开口的步骤耗费许多时间并且需要技术,因为难以确定树脂膜和增强材料是否都去除。从而,取决于操作者的技术,树脂膜和/或增强材料可能去除不充分,从而在开口中暴露的区域的面积可能变化。因此,通过开口电连接的两个导体的连接电阻值变化,其使得难以制造具有具备设计值的电特性的电气元件。
另外,在采用使用激光束形成开口的步骤的情况下,对电子元件的机械冲击与钻孔或冲孔比较是小的;然而,电子元件的性能因激光束的能量而降低的可能性不能完全消除。在本发明的发明者的研究中,发现具有小尺寸的电子元件和用低电压驱动的高性能电子元件的特性在一些情况下由于在密封层中形成开口的步骤中的激光束照射而降低。
在本说明书中的技术目的是提供用于使用除激光束照射之外的手段在通过固化包括增强材料的半固化片形成的绝缘膜中高准确度地形成开口的方法。
根据本发明的实施例,用于制造端子结构的方法包括在绝缘表面上形成使用导体形成的突出物,紧密地贴附包括增强材料的半固化片到绝缘表面和突出物的表面以形成半固化片的顶面的一部分(其由于该突出物而突出),固化紧密贴附到绝缘表面和突出物的表面的半固化片以形成包括增强材料的绝缘膜,并且去除绝缘膜的顶面的突出部分连同增强材料以在绝缘膜中形成开口。注意突出物的一部分可在形成开口的步骤中去除。
根据该实施例,开口可以使用除激光束照射之外的手段在通过固化包括增强材料的半固化片形成的绝缘膜中高准确度地容易地形成。这是因为根据该实施例,开口形成的位置可以根据突出物形成的位置采用自对准的方式确定,并且开口形成的位置的准确度可以通过突出物形成的位置的准确度确保并且开口的形状和尺寸可以通过改变突出物的高度和形状控制。因此,在形成开口的步骤中,像执行激光束照射的位置的确定等的高度准确对准是不需要的。
通过研磨包括增强材料的绝缘膜,开口可以在绝缘膜中形成。如上文描述的,开口可以采用自对准方式在绝缘膜中形成。因此,通过在平行于水平表面的方向上简单地研磨绝缘膜,开口可以采用自对准方式在绝缘膜中形成。
在根据上文的实施例的制造方法中,绝缘膜可通过固化代替包括增强材料的半固化片的不包括增强材料的未固化树脂膜形成。在该情况下,上文的有利效果也可以获得。作为增强材料,可以使用纤维片。在开口形成后,可形成紧密贴附到突出物的导体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造