[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201010254654.9 | 申请日： | 2010-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN102194876A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 朱鸣;张立伟;庄学理 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件及其制造方法，该元件包括一半导体基底；一第一栅极结构，设置于基底上方，第一栅极结构包括一第一导电形态的第一栅电极；一第二栅极结构，设置于基底上方且邻近第一栅极结构，第二栅极结构包括一第二导电形态的第二栅电极，第二导电形态不同于第一导电形态；一第一导电形态的第一掺杂区，设置于基底中，第一掺杂区包括一第一部分，对准第一栅极结构的一侧；及一第二导电形态的第二掺杂区，设置于基底中，第二掺杂区包括一第二部分，对准第二栅极结构的一侧。本发明具有能够在不增加闭态漏电流，而使电源供应电压可进一步微缩的潜力产品元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，包括：一半导体基底；一第一栅极结构，设置于该基底上方，该第一栅极结构包括一第一导电形态的第一栅电极；一第二栅极结构，设置于该基底上方且邻近该第一栅极结构，该第二栅极结构包括一第二导电形态的第二栅电极，该第二导电形态不同于该第一导电形态；一第一掺杂区，设置于该基底中，该第一掺杂区具有该第一导电形态，该第一掺杂区包括一第一部分，对准该第一栅极结构的一侧；及一该第二导电形态的第二掺杂区，设置于该基底中，该第二掺杂区具有该第二导电形态，该第二掺杂区包括一第二部分，对准该第二栅极结构的一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010254654.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
