[发明专利]半导体元件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件，包括：

一半导体基底；

一第一栅极结构，设置于该基底上方，该第一栅极结构包括一第一导电形态的第一栅电极；

一第二栅极结构，设置于该基底上方且邻近该第一栅极结构，该第二栅极结构包括一第二导电形态的第二栅电极，该第二导电形态不同于该第一导电形态；

一第一掺杂区，设置于该基底中，该第一掺杂区具有该第一导电形态，该第一掺杂区包括一第一部分，对准该第一栅极结构的一侧；及

一该第二导电形态的第二掺杂区，设置于该基底中，该第二掺杂区具有该第二导电形态，该第二掺杂区包括一第二部分，对准该第二栅极结构的一侧。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体元件包括一对称撞击游离金属氧化物晶体管元件。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一掺杂区还包括一第一重掺杂区，相较于该第一部分具有较大的掺杂浓度，其中该第二掺杂区还包括一第二重掺杂区，相较于该第二部分具有较大的掺杂浓度。

4.一种半导体元件的制造方法，包括：

提供一半导体基底，具有一有源区；

形成一隔离结构，以隔离该有源区；

形成第一和第二栅极结构于该基底的有源区上方，该第一栅极结构包括一第一导电形态的第一栅电极，该第二栅极结构包括一第二导电形态的第二栅电极，该第二导电形态不同于该第一导电形态；及

形成第一和第二掺杂区于该基底的有源区中，该第一掺杂区具有该第一导电形态，该第二掺杂区具有该第二导电形态，其中该第一和第二栅极结构设置于该第一和第二掺杂区之间。

5.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中形成该第一和第二栅极结构的步骤包括：

分别形成第一和第二虚设栅极结构；

于该第一和第二虚设栅极结构的侧壁形成间隔物，其中分别形成于该第一和第二虚设栅极结构的相对侧壁的间隔物合并在一起；

以该第一栅电极取代该第一虚设栅极结构；及

以该第二栅电极取代该第二虚设栅极结构。

6.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中该第一导电形态是P型，该第二导电形态是N型，该半导体元件为N型对称撞击游离金属氧化物晶体管元件，其中该第二栅极结构作为操作栅极，其中该第一栅极结构作为未操作栅极，其中该第一掺杂区作为一源极，且该第二掺杂区作为一漏极。

7.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，该半导体元件为P型对称撞击游离金属氧化物晶体管元件，其中该第一栅极结构作为操作栅极，其中该第二栅极结构作为未操作栅极，其中该第二掺杂区作为一源极，且该第一掺杂区作为一漏极。

8.如权利要求4所述的半导体元件的制造方法，其中形成该第一和第二掺杂区的步骤包括：

在形成该间隔物之前，形成该第一导电形态的第一轻掺杂区，对准该第一虚设栅极结构其中一侧壁；

在形成该间隔物之前，形成该第二导电形态的第二轻掺杂区，对准该第二虚设栅极结构其中一侧壁；

形成该第一导电形态的第一重掺杂区，对准形成于该第一虚设栅极结构的侧壁间隔物；

形成该第二导电形态的第二重掺杂区，对准形成于该第二虚设栅极结构的侧壁间隔物；

其中该合并的间隔物在形成该第一和第二重掺杂区时，保护直接位于该间隙壁下的部分基底。

9.如权利要求8所述的半导体元件的制造方法，还包括进行一自对准硅化工艺，以分别于该第一和第二重掺杂区形成硅化物。

10.一种半导体元件，包括：

一半导体基底，具有一有源区；

一隔离结构，隔离该有源区；

第一和第二栅极结构，设置于该基底的有源区上方，该第一栅极结构包括一第一导电形态的第一栅电极，该第二栅极结构包括一第二导电形态的第二栅电极，该第二导电形态不同于该第一导电形态；及

第一和第二掺杂区，设置于该基底的有源区中，该第一掺杂区具有该第一导电形态，该第二掺杂区具有该第二导电形态。