[发明专利]线路板的制作方法无效
申请号: | 201010254260.3 | 申请日: | 2010-08-12 |
公开(公告)号: | CN102376585A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 庄志宏;陈俊廷 | 申请(专利权)人: | 旭德科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L33/62 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种线路板的制作方法,其提供一基板,基板包括一介电层、一第一导电层与一第二导电层,第一导电层与第二导电层分别配置于介电层的相对二表面上。在基板上形成一贯孔。在第一导电层上形成一开口,开口暴露出部分介电层。在介电层上形成一密封层,密封层覆盖贯孔与第一导电层的邻近贯孔的部分,以密封贯孔的邻近第一导电层的一开放端。激光蚀刻介电层的位于开口下方的部分,以在介电层中形成一凹槽,凹槽暴露出部分第二导电层,且在激光蚀刻介电层的同时,以真空吸附基板的方式固定基板。 | ||
搜索关键词: | 线路板 制作方法 | ||
【主权项】:
一种线路板的制作方法,包括:提供一基板,该基板包括介电层、第一导电层与第二导电层,该介电层具有相对的第一表面与第二表面,该第一导电层与该第二导电层分别配置于该第一表面与该第二表面上;在该基板上形成至少一贯孔,该贯孔贯穿该介电层、该第一导电层与该第二导电层;在该第一导电层上形成一开口,该开口暴露出部分该第一表面;在该第一表面上形成一密封层,该密封层覆盖该贯孔与该第一导电层的邻近该贯孔的部分,以密封该贯孔的邻近该第一导电层的一开放端;以及激光蚀刻该介电层的位于该开口下方的部分,以在该介电层中形成一凹槽,该凹槽暴露出部分该第二导电层,其中在激光蚀刻该介电层的同时,以真空吸附该基板的该第二表面的方式固定该基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旭德科技股份有限公司,未经旭德科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201010254260.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造