[发明专利]光电装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010247229.7 申请日: 2010-08-06
公开(公告)号: CN102024871A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 林宏树;全振完 申请(专利权)人: 韩国铁钢株式会社;韩国科学技术院
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0224
代理公司: 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 代理人: 葛强;邬玥
地址: 韩国庆*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明提供光电装置的制造方法,包括以下步骤:准备形成有沟槽的基板;在沟槽之间区域形成第一电极层和辅助电极层,其中,辅助电极层与第一电极层的部分区域相接触并位于第一电极层的上或下部,且其电阻小于第一电极层电阻;在第一电极层或辅助电极层上形成光电转换层;将第二导电性物质倾斜沉积在光电转换层上以形成第二电极层;对形成于沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使第一电极层或辅助电极层暴露;将第三导电性物质倾斜沉积在第二电极层上以形成导电层,以使第一电极层或辅助电极层与第二电极层在沟槽内部相电连接,其中,第一电极层或辅助电极层形成于所述区域中通过光产生电的一个区域,而第二电极层形成于通过光产生电的另一个区域。
搜索关键词: 光电 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光电装置的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:准备形成有沟槽(101、102、103、104、301、302、303、304、501、502)的基板(100、300、500);在所述沟槽之间的区域上形成第一电极层(110、310、510)和辅助电极层(120、320、520),其中,所述辅助电极层(120、320、520)的电阻小于所述第一电极层的电阻且与所述第一电极层的部分区域相接触,并位于所述第一电极层的上部或下部;在所述第一电极层或所述辅助电极层上形成光电转换层(130、330、530);将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层(140、340、540);对形成于所述沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使所述第一电极层或所述辅助电极层暴露;将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层(160、350、550),以使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接,其中,所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域,而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。
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