[发明专利]光电装置及其制造方法无效
申请号: | 201010247229.7 | 申请日: | 2010-08-06 |
公开(公告)号: | CN102024871A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
发明(设计)人: | 林宏树;全振完 | 申请(专利权)人: | 韩国铁钢株式会社;韩国科学技术院 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京万慧达知识产权代理有限公司 11111 | 代理人: | 葛强;邬玥 |
地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种光电装置的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
准备形成有沟槽(101、102、103、104、301、302、303、304、501、502)的基板(100、300、500);
在所述沟槽之间的区域上形成第一电极层(110、310、510)和辅助电极层(120、320、520),其中,所述辅助电极层(120、320、520)的电阻小于所述第一电极层的电阻且与所述第一电极层的部分区域相接触,并位于所述第一电极层的上部或下部;
在所述第一电极层或所述辅助电极层上形成光电转换层(130、330、530);
将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层(140、340、540);
对形成于所述沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使所述第一电极层或所述辅助电极层暴露;
将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层(160、350、550),以使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接,其中,所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域,而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。
2.如权利要求1所述的光电装置的制造方法,其特征在于,对所述光电转换层进行蚀刻时,将所述第二电极层作为掩模来使用。
3.如权利要求1所述的光电装置的制造方法,其特征在于,所述沟槽按照规定角度倾斜。
4.如权利要求1所述的光电装置的制造方法,其特征在于,对所述光电转换层进行蚀刻之后,利用绝缘物质(150)来填埋所述沟槽中的一个沟槽。
5.如权利要求1所述的光电装置的制造方法,其特征在于,所述沟槽中部分相邻沟槽之间的间隔小于相当于有效区域的相邻沟槽之间的间隔。
6.如权利要求1所述的光电装置的制造方法,其特征在于,用来透射光的槽(302、304)位于所述相邻沟槽之间,所述辅助电极层位于所述槽之间。
7.如权利要求6所述的光电装置的制造方法,其特征在于,所述槽中深度相对于宽度的比例或深度相对于直径的比例大于所述沟槽中深度相对于宽度的比例。
8.如权利要求6所述的光电装置的制造方法,其特征在于,通过对形成于所述槽的所述光电转换层进行蚀刻,以使所述槽的底面暴露。
9.如权利要求1所述的光电装置的制造方法,其特征在于,将第一导电性物质倾斜沉积在所述基板上以形成所述第一电极层。
10.如权利要求1所述的光电装置的制造方法,其特征在于,还包括将短路防止物质倾斜沉积在所述光电转换层和所述第二电极层上的步骤。
11.一种光电装置的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
在基板(700)上形成具有规定厚度和宽度的第一电极层(710);
将电阻小于所述第一电极层的辅助电极层(720)形成在所述第一电极层的上部或下部,以使与所述第一电极层接触;
在所述第一电极层或所述辅助电极层的区域、在相邻的所述第一电极层之间的区域上形成光电转换层(730);
将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层(740);
对所述光电转换层进行蚀刻,以使位于相邻的所述第二电极层之间的所述辅助电极层暴露;
将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层(750),以使形成于所述相邻第一电极层的一个区域上的所述辅助电极层与形成于另一个第一电极层区域上的所述第二电极层相电连接。
12.如权利要求11所述的光电装置的制造方法,其特征在于,所述第一电极层通过使用溶胶-凝胶溶液的印刷法来形成。
13.如权利要求11所述的光电装置的制造方法,其特征在于,对所述光电转换层进行蚀刻时,将所述第二电极层作为掩模来使用。
14.如权利要求11所述的光电装置的制造方法,其特征在于,在整个所述第一电极层中,部分第一电极层的宽度小于有效区域的第一电极层的宽度。
15.如权利要求11所述的光电装置的制造方法,其特征在于,还包括将短路防止物质倾斜沉积在所述光电转换层和所述第二电极层上的步骤。
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