[发明专利]光电装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种光电装置及其制造方法。

背景技术

通常，光电装置是指利用半导体性质将太阳光转换成电能的元件，实质上其由单元电池构成。各个电源电池以串联连接的方式相电连接而被模块化，因此可以向外部提供较高的电压。

该光电装置根据其所使用的材料大致分为硅系光电装置、化合物系光电装和有机物系光电装置。其中，硅系光电装置根据半导体相(phase)分为单晶(single crystalline)硅、多晶(polycrystalline)硅和非晶(amorphous)硅。

另外，光电装置根据半导体的厚度分为块(基板)型光电装置和薄膜型光电装置，薄膜型光电装置是半导体层厚度为数十μm～数μm以下的光电装置。在硅系光电装置中单晶硅和多晶硅光电装置属于块型光电装置而非晶硅光电装置属于薄膜型光电装置。

另一方面，化合物系光电装置被分为III-V族的GaAs(Gallium Arsenide)和InP(Indium Phosphide)等的块型光电装置和II-VI族的CdTe(Cadmium Telluride)和I-III-VI族的CulnSe₂(CIS，Copper Indium Diselenide)等的薄膜型光电装置，有机物系光电装置大致分为有机分子型和有机无机复合型。除此之外具有染料敏化型光电装置，这些均属于薄膜型光电装置。

这样的光电装置需要减少无效区域且增加有效区域来提高光电转换率。而且，需要提供光电装置所需大小的电压。

发明内容

本发明的光电装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：准备形成有沟槽的基板；在所述沟槽之间的区域上形成第一电极层或辅助电极层，其中，所述辅助电极层的电阻小于所述第一电极层的电阻且与所述第一电极层的部分区域相接触，并位于所述第一电极层的上部或下部；在所述第一电极层或所述辅助电极层上形成光电转换层；将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层；对形成于所述沟槽内部的光电转换层进行蚀刻以使所述第一电极层和所述辅助电极层暴露；将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层，以使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接，其中，所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域，而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。

本发明的另一种光电装置的制造方法，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：在基板上形成具有规定厚度和宽度的第一电极层；将电阻小于所述第一电极层的辅助电极层形成在所述第一电极层的上部或下部，以使与所述第一电极层接触；在所述第一电极层或所述辅助电极层的区域、在相邻的所述第一电极层之间的区域上形成光电转换层；将第二导电性物质倾斜沉积在所述光电转换层上以形成第二电极层；对所述光电转换层进行蚀刻，以使位于相邻的所述第二电极层之间的所述辅助电极层暴露；将第三导电性物质倾斜沉积在所述第二电极层上以形成导电层，以使形成于所述相邻第一电极层的一个区域上的所述辅助电极层与形成于另一个第一电极层区域上的所述第二电极层相电连接。

本发明的光电装置，其特征在于，该光电装置包括：

基板，形成有沟槽；第一电极层形成于所述沟槽之间的区域；辅助电极层，形成于所述沟槽之间的区域上且电阻小于所述第一电极层的电阻，其位于所述第一电极层的上部或下部以使所述辅助电极层与所述第一电极层的部分区域接触；光电转换层，位于所述第一电极层或所述辅助电极层上；第二电极层，位于所述光电转换层上；以及导电层，其使所述第一电极层或所述辅助电极层与所述第二电极层在所述沟槽内部相电连接，其中，所述第一电极层或所述辅助电极层形成于所述区域中通过光而产生电流的一个区域，而所述第二电极层形成于通过光而产生电流的另一个区域。

本发明的另一种光电装置，其特征在于，该光电装置包括：基板；

第一电极层，位于所述基板上且具有规定的厚度和宽度；辅助电极层，其电阻小于所述第一电极层的电阻，且位于所述第一电极层的上部或下部以使其与所述第一电极层接触；光电转换层，位于所述第一电极层或所述辅助电极层上，且位于所述相邻的第一电极层之间的区域；第二电极层，位于所述光电转换层上；以及导电层，其使形成于所述相邻第一电极层中的一个区域的所述辅助电极层与形成于另一个第一电极层区域的所述第二电极层相电连接。

附图说明

图1a至图1n表示根据本发明第一实施例的光电装置的制造方法；