[发明专利]光刻图案化方法及双重图案化方法无效
| 申请号： | 201010246690.0 | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102147568A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 陈俊光;叶孝蔚;林致安;王建惟;许峰诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/004;G03F7/039 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种光刻图案化方法及双重图案化方法，所述光刻图案化方法包括：在一基底上形成一第一阻剂图案，其中第一阻剂图案内包括多个开口。在基底上且位于第一阻剂图案的开口内形成一第二阻剂图案，其中第二阻剂图案内包括至少一开口位于基底上。去除第一阻剂图案，以露出位于第一阻剂图案下方的基底。本发明可改善制造产能及产品品质，并降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 图案 方法 双重 | ||
【主权项】：
一种光刻图案化方法，包括：在一基底上形成一第一阻剂图案，该第一阻剂图案内具有多个开口位于该基底上；对该第一阻剂图案进行烘烤，以形成一烘烤过的阻剂图案；以及在该基底上且位于该烘烤过的阻剂图案的多个开口内形成一第二阻剂层，其中该烘烤过的阻剂图案不溶于该第二阻剂层。
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