[发明专利]光刻图案化方法及双重图案化方法

权利要求书

1.一种光刻图案化方法，包括：

在一基底上形成一第一阻剂图案，该第一阻剂图案内具有多个开口位于该基底上；

对该第一阻剂图案进行烘烤，以形成一烘烤过的阻剂图案；以及

在该基底上且位于该烘烤过的阻剂图案的多个开口内形成一第二阻剂层，其中该烘烤过的阻剂图案不溶于该第二阻剂层。

2.如权利要求1所述的光刻图案化方法，其中该第一阻剂图案由具有热酸产生剂、交链剂、界面活性剂或高助溶剂的一第一正型阻剂层所构成。

3.如权利要求1所述的光刻图案化方法，还包括：

对该第二阻剂层进行曝光，以在该第二阻剂层内定义出至少一开口；以及

施加一化学剂，以去除该烘烤过的阻剂图案。

4.如权利要求1所述的光刻图案化方法，还包括：

对该第二阻剂层进行曝光，以在该基底上定义出多个曝光及未曝光的特征部件；以及

施加一化学剂，以去除该烘烤过的阻剂图案及所述多个曝光的特征部件，而在该基底上留下所述多个未曝光的特征部件。

5.如权利要求1所述的光刻图案化方法，还包括：

对该第二阻剂层进行曝光，以在该基底上定义出多个曝光及未曝光的特征部件；

施加一显影溶剂，以去除所述多个曝光的特征部件，而在该基底上留下所述多个未曝光的特征部件；以及

实施一蚀刻工艺，以相对于所述多个未曝光的特征部件选择性去除该烘烤过的阻剂图案。

6.一种光刻图案化方法，包括：

在一基底上形成一第一阻剂图案，该第一阻剂图案内具有多个开口位于该基底上；

对该第一阻剂图案进行烘烤，以形成一烘烤过的阻剂图案；

在该基底上且位于该烘烤过的阻剂图案的多个开口内形成一第二阻剂层；

对该第二阻剂层进行曝光，以形成至少一个曝光的特征部件及至少一个未曝光的特征部件；以及

通过去除该烘烤过的阻剂图案及该曝光的特征部件，以形成一第二阻剂图案。

7.如权利要求6所述的光刻图案化方法，其中该第一阻剂图案由具有热酸产生剂、交链剂或高助溶剂的一第一正型阻剂层所构成。

8.如权利要求6所述的光刻图案化方法，其中该烘烤过的阻剂图案不溶于该第二阻剂层，而溶于一显影溶剂。

9.如权利要求6所述的光刻图案化方法，其中通过一显影溶剂去除该烘烤过的阻剂图案及该曝光的特征部件。

10.一种双重图案化方法，包括：

在一基底上形成一第一正型阻剂图案，该第一正型阻剂图案由具有多个开口的一第一正型阻剂层所构成，且该第一正型阻剂层包括热酸产生剂、交链剂或高助溶剂；

对该第一正型阻剂图案进行烘烤，以形成一烘烤过的阻剂图案；

在该基底上且位于该烘烤过的阻剂图案的多个开口内形成一第二正型阻剂层；

对该第二正型阻剂层进行曝光，以在该基底上形成多个曝光的阻剂特征部件以及多个未曝光的阻剂特征部件；以及

通过提供一溶剂来去除该烘烤过的阻剂图案及所述多个曝光的阻剂特征部件并留下所述多个未曝光的阻剂特征部件，以形成一第二正型阻剂图案。

11.如权利要求10所述的双重图案化方法，其中形成该第二正型阻剂层包括实施一旋转涂布工艺，且其中该旋转涂布工艺包括调整旋转速度，使该第二正型阻剂层薄于该第一正型阻剂层，以及

包括调整该第二正型阻剂层的表面张力，使该第二正型阻剂层薄于该第一正型阻剂层。

12.如权利要求10所述的双重图案化方法，其中该溶剂为显影溶剂。