[发明专利]光刻图案化方法及双重图案化方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体技术，特别涉及一种光刻图案化及一种双重图案化的方法。

背景技术

半导体技术不断朝向缩小特征尺寸(feature size)的方向发展，举例来说，特征尺寸向下降至65纳米或45纳米或以下。用以形成上述小特征尺寸的阻剂(resist)图案层通常具有高深宽比(aspect ratio)，而要维持所需的关键尺寸(critical dimension，CD)相当困难，特别是对于具有高深宽比的阻剂层来说。现已提出了双重图案化工艺以形成具有较小尺寸的各种特征部件。然而，公知双重图案化工艺需要多重蚀刻工艺而具有高制造成本及低产能的缺点。

发明内容

为克服现有技术中的缺陷，本发明一实施例揭示一种光刻图案化方法，包括：在一基底上形成一第一阻剂图案，第一阻剂图案内具有多个开口位于基底上；对第一阻剂图案进行烘烤，以形成一烘烤过的阻剂图案；以及在基底上且位于烘烤过的阻剂图案的多个开口内形成一第二阻剂层，其中烘烤过的阻剂图案不溶于第二阻剂层。

本发明另一实施例揭示一种光刻图案化方法，包括：在一基底上形成一第一阻剂图案，第一阻剂图案内具有多个开口位于基底上；对第一阻剂图案进行烘烤，以形成一烘烤过的阻剂图案；在基底上且位于烘烤过的阻剂图案的多个开口内形成一第二阻剂层；对第二阻剂层进行曝光，以形成至少一个曝光的特征部件及至少一个未曝光的特征部件；以及通过去除烘烤过的阻剂图案及曝光的特征部件，以形成一第二阻剂图案。

本发明一实施例揭示一种双重图案化方法，包括：在一基底上形成一第一正型阻剂图案，第一正型阻剂图案由具有多个开口的一第一正型阻剂层所构成，且第一正型阻剂层包括热酸产生剂、交链剂或高助溶剂；对第一正型阻剂图案进行烘烤，以形成一烘烤过的阻剂图案；在基底上且位于烘烤过的阻剂图案的多个开口内形成一第二正型阻剂层；对第二正型阻剂层进行曝光，以在基底上形成多个曝光的阻剂特征部件以及多个未曝光的阻剂特征部件；以及通过提供一溶剂来去除烘烤过的阻剂图案及曝光的阻剂特征部件并留下未曝光的阻剂特征部件，以形成一第二正型阻剂图案。

本发明可改善制造产能及产品品质，并降低制造成本。

附图说明

图1至图9示出根据一实施例的在各个制造步骤期间的半导体装置剖面示意图。

图10示出根据一实施例的光刻图案化方法流程图。

其中，附图标记说明如下：

100～半导体装置；

110～基底；

112～材料层；

114～掩模层；

116～抗反射层；

118～第一阻剂图案/正型阻剂图案；

118’～烘烤过的阻剂图案；

120～第二阻剂层；

120’～未曝光的阻剂特征部件；

121～开口；

200～方法；

202、204、206、208、210、212、214、216、218～步骤；

P～间距。

具体实施方式

可以了解的是本说明书以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例，以实施本发明的不同特征。而本说明书以下的公开内容是叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以求简化发明的说明。当然，这些特定的范例并非用以限定本发明。例如，若是本说明书以下的公开内容叙述了将一第一特征形成于一第一特征之上或上方，即表示其包含了所形成的上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，也包含了尚可将附加的特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与上述第二特征可能未直接接触的实施例。另外，本说明书中可在各个范例中使用重复的标号及/或符号。其用意是为了达到简化及清晰的目的，而并不是用以限定所述各个实施例及/或各个结构配置彼此之间关系。