[发明专利]一种抗噪声干扰的高端驱动电路

摘要

本发明公开了一种抗噪声干扰的高端驱动电路，包括浮动电源、双脉冲产生电路、高压电平移位电路、欠压检测电路、RS触发器电路和栅驱动电路；还包括噪声消除电路，噪声消除电路由依次相接的共模电压检测电路、共模噪声消除电路和失调噪声消除电路组成；噪声消除电路的两个输入端接高压电平移位电路的两个输出端，接收高压电平移位电路输出的高压同向控制信号，消除高压同向控制信号中的浮动噪声，并输出置位信号和复位信号；噪声消除电路的置位信号输出端接RS触发器电路的XS输入端，噪声消除电路的复位信号输出端接RS触发器电路的XR输入端。本发明消除了高端电源浮动产生的浮动噪声，功耗低，电路结构简单，节省芯片面积，便于推广使用。

主权项

一种抗噪声干扰的高端驱动电路，包括浮动电源、双脉冲产生电路(1)、高压电平移位电路(2)、欠压检测电路(3)、RS触发器电路(4)和栅驱动电路(5)；所述高压电平移位电路(2)的两个输入端分别与双脉冲产生电路(1)的两个输出端相接且将双脉冲产生电路(1)所输出的两路信号分别转换为高压同向控制信号V_set和V_rst输出；其特征在于：还包括噪声消除电路(6)，所述噪声消除电路(6)由共模电压检测电路(6 1)和与共模电压检测电路(6 1)相接的共模噪声消除电路(6 2)组成；所述噪声消除电路(6)的两个输入端接高压电平移位电路(2)的两个输出端，接收高压电平移位电路(2)输出的高压同向控制信号V_set和V_rst，消除高压同向控制信号V_set和V_rst中的浮动噪声，并输出置位信号Vset和复位信号Vrst；噪声消除电路(6)的置位信号Vset输出端接RS触发器电路(4)的XS输入端，噪声消除电路(6)的复位信号Vrst输出端接RS触发器电路(4)的XR输入端；所述共模电压检测电路(6 1)由PMOS管M3和M4以及NMOS管M8构成，PMOS管M3的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M4的栅极接高压同向控制信号V_set，PMOS管M3和M4的源极均接浮动电源VB，PMOS管M3和M4的漏极均接NMOS管M8的漏极和栅极；NMOS管M8的源极接浮动电源的参考点VS；所述共模噪声消除电路(6 2)包括V_rst信号共模噪声消除支路和V_set信号共模噪声消除支路，所述V_rst信号共模噪声消除支路由PMOS管M1、NMOS管M5和M7以及电阻R1和R3构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M1的源极接浮动电源VB，PMOS管M1的漏极与NMOS管M5的栅极以及NMOS管M7的漏极和电阻R1的一端相接，NMOS管M5的源极、NMOS管M7的源极和电阻R1的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M7的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M5的漏极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接浮动电源VB；所述V_set信号共模噪声消除支路由PMOS管M2、NMOS管M6和M9以及电阻R2和R4构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M2的源极接浮动电源VB，PMOS管M2的漏极与NMOS管M6的栅极以及NMOS管M9的漏极和电阻R2的一端相接，NMOS管M6的源极、NMOS管M9的源极和电阻R2的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M9的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M6的漏极接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接浮动电源VB。