[发明专利]一种抗噪声干扰的高端驱动电路

权利要求书

1.一种抗噪声干扰的高端驱动电路，包括浮动电源、双脉冲产生电路(1)、高压电平移位电路(2)、欠压检测电路(3)、RS触发器电路(4)和栅驱动电路(5)；所述高压电平移位电路(2)的两个输入端分别与双脉冲产生电路(1)的两个输出端相接且将双脉冲产生电路(1)所输出的两路信号分别转换为高压同向控制信号V_set和V_rst输出；其特征在于：还包括噪声消除电路(6)，所述噪声消除电路(6)由共模电压检测电路(6-1)和与共模电压检测电路(6-1)相接的共模噪声消除电路(6-2)组成；所述噪声消除电路(6)的两个输入端接高压电平移位电路(2)的两个输出端，接收高压电平移位电路(2)输出的高压同向控制信号V_set和V_rst，消除高压同向控制信号V_set和V_rst中的浮动噪声，并输出置位信号Vset和复位信号Vrst；噪声消除电路(6)的置位信号Vset输出端接RS触发器电路(4)的XS输入端，噪声消除电路(6)的复位信号Vrst输出端接RS触发器电路(4)的XR输入端；所述共模电压检测电路(6-1)由PMOS管M3和M4以及NMOS管M8构成，PMOS管M3的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M4的栅极接高压同向控制信号V_set，PMOS管M3和M4的源极均接浮动电源VB，PMOS管M3和M4的漏极均接NMOS管M8的漏极和栅极；NMOS管M8的源极接浮动电源的参考点VS；所述共模噪声消除电路(6-2)包括V_rst信号共模噪声消除支路和V_set信号共模噪声消除支路，所述V_rst信号共模噪声消除支路由PMOS管M1、NMOS管M5和M7以及电阻R1和R3构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M1的源极接浮动电源VB，PMOS管M1的漏极与NMOS管M5的栅极以及NMOS管M7的漏极和电阻R1的一端相接，NMOS管M5的源极、NMOS管M7的源极和电阻R1的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M7的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M5的漏极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接浮动电源VB；所述V_set信号共模噪声消除支路由PMOS管M2、NMOS管M6和M9以及电阻R2和R4构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M2的源极接浮动电源VB，PMOS管M2的漏极与NMOS管M6的栅极以及NMOS管M9的漏极和电阻R2的一端相接，NMOS管M6的源极、NMOS管M9的源极和电阻R2的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M9的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M6的漏极接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接浮动电源VB。

2.按照权利要求1所述的一种抗噪声干扰的高端驱动电路，其特征在于：所述噪声消除电路(6)还包括与共模噪声消除电路(6-2)相接的失调噪声消除电路(6-3)。

3.按照权利要求2所述的一种抗噪声干扰的高端驱动电路，其特征在于：所述失调噪声消除电路(6-3)包括V_rst信号失调噪声消除支路和V_set信号失调噪声消除支路，所述V_rst信号失调噪声消除支路由PMOS管M10、NMOS管M12、电阻R5、电容C1和施密特触发器SMIT1构成，PMOS管M10的栅极与NMOS管M12的栅极以及NMOS管M5的漏极相接，PMOS管M10的源极接浮动电源VB，PMOS管M10的漏极接电阻R5的一端，电阻R5的另一端与NMOS管M12的漏极以及施密特触发器SMIT1的输入端和电容C1的一端相接，电容C1的另一端接浮动电源的参考点VS，施密特触发器SMIT1将滤除浮动噪声后的高压同向控制信号V_rst整形并输出复位信号Vrst给RS触发器电路(4)的XR输入端；所述V_set信号失调噪声消除支路由PMOS管M11、NMOS管M13、电阻R6、电容C2和施密特触发器SMIT2构成，PMOS管M11的栅极与NMOS管M13的栅极以及NMOS管M6的漏极相接，PMOS管M11的源极接浮动电源VB，PMOS管M11的漏极接电阻R6的一端，电阻R6的另一端与NMOS管M13的漏极以及施密特触发器SMIT2的输入端和电容C2的一端相接，电容C2的另一端接浮动电源的参考点VS，施密特触发器SMIT2将滤除浮动噪声后的高压同向控制信号V_set整形并输出置位信号Vset给RS触发器电路(4)的XS输入端。