[发明专利]一种抗噪声干扰的高端驱动电路

说明书

技术领域

本发明属于功率MOS栅集成电路中高端驱动电路的设计技术领域，尤其是涉及一种抗噪声干扰的高端驱动电路。

背景技术

国产的电子镇流器几乎都采用传统的变压器驱动半桥逆变电路。众所周知，在以变压器驱动的电子镇流器中，接成推挽型式的两只功率晶体管不仅用作开关，同时又是振荡电路中的重要有源元件。这种依靠脉冲变压器耦合的高频振荡器，需要由电阻、启动电容和双向二极管等组成的触发电路来启动″从而建立振荡。通过变压器次级线圈产生相位相反的脉冲驱动两只功率管″使其交替饱和导通″从而在它们的中点输出高频电压为灯供电，依靠电感和电容等组成的串联电路，发生谐振时在启动电容两端产生高电压来引燃荧光灯。这种电路各部分之间互相影响和牵制，频率稳定性差，开关特性欠佳。电源管理技术的发展趋势是在更小的硅芯片上集成更多功能特性，同时以更高的设计灵活性实现更强的系统用电性能，而不会增加成本。微电子技术与高压功率器件技术的成熟推动了高压集成电路(High Voltage Integrated Circuits，简称HVIC)的发展，HVIC有可靠性高、体积小、速度快、功耗低等优点，功率MOS栅驱动集成电路是HVIC的典型电路之一。

这类HVIC采用高压电平移位技术，它是将低压电路与高压电路集成在一起，实现从低电压向高电压的电平转换，从而转换为控制高端电路的信号，驱动高端电路工作，并采用外部自举电容获得高端驱动浮动电源，这使驱动电路设计大为简化，成本降低。

由于高端电路采用的是浮动电源供电，所以高端电路中和高压浮动电 源相连的线上都会有浮动噪声，其中尤为突出、也是破坏性最大的是高压电平移位电路的输出信号，由于高压电平移位对管大的寄生电容的影响，同时由于工艺造成的高压电平位移电路的不完全匹配，高压电平移位电路的输出信号会带有大的共模噪声和失调噪声，会使高端电路误触发，从而破坏高端电路的正常工作。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种结构简单，可以消除高端浮动电源变化时引起的浮动噪声的抗噪声干扰的高端驱动电路。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种抗噪声干扰的高端驱动电路，包括浮动电源、双脉冲产生电路、高压电平移位电路、欠压检测电路、RS触发器电路和栅驱动电路；所述高压电平移位电路的两个输入端分别与双脉冲产生电路的两个输出端相接且将双脉冲产生电路所输出的两路信号分别转换为高压同向控制信号V_set和V_rst输出；其特征在于：还包括噪声消除电路，所述噪声消除电路由共模电压检测电路和与共模电压检测电路相接的共模噪声消除电路组成；所述噪声消除电路的两个输入端接高压电平移位电路的两个输出端，接收高压电平移位电路输出的高压同向控制信号V_set和V_rst，消除高压同向控制信号V_set和V_rst中的浮动噪声，并输出置位信号Vset和复位信号Vrst；噪声消除电路的置位信号Vset输出端接RS触发器电路的XS输入端，噪声消除电路的复位信号Vrst输出端接RS触发器电路的XR输入端；所述共模电压检测电路由PMOS管M3和M4以及NMOS管M8构成，PMOS管M3的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M4的栅极接高压同向控制信号V_set，PMOS管M3和M4的源极均接浮动电源VB，PMOS管M3和M4的漏极均接NMOS管M8的漏极和栅极；NMOS管M8的源极接浮动电源的参考点VS；所述共模噪声消除电路包括V_rst信号共模噪声消除支路和V_set信号共模噪 声消除支路，所述V_rst信号共模噪声消除支路由PMOS管M1、NMOS管M5和M7以及电阻R1和R3构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M1的源极接浮动电源VB，PMOS管M1的漏极与NMOS管M5的栅极以及NMOS管M7的漏极和电阻R1的一端相接，NMOS管M5的源极、NMOS管M7的源极和电阻R1的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M7的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M5的漏极接电阻R3的一端，电阻R3的另一端接浮动电源VB；所述V_set信号共模噪声消除支路由PMOS管M2、NMOS管M6和M9以及电阻R2和R4构成，PMOS管M1的栅极接高压同向控制信号V_rst，PMOS管M2的源极接浮动电源VB，PMOS管M2的漏极与NMOS管M6的栅极以及NMOS管M9的漏极和电阻R2的一端相接，NMOS管M6的源极、NMOS管M9的源极和电阻R2的另一端均接浮动电源的参考点VS，NMOS管M9的栅极接NMOS管M8的漏极和栅极，NMOS管M6的漏极接电阻R4的一端，电阻R4的另一端接浮动电源VB。