[发明专利]一种等离子体薄膜太阳能电池增效方法无效
| 申请号： | 201010243362.5 | 申请日： | 2010-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101937939A | 公开（公告）日： | 2011-01-05 |
| 发明（设计）人： | 刘尧平;梅增霞;侯尧楠;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L51/48;H01G9/20 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启;马知非 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种等离子体薄膜太阳能电池增效方法，包括以下步骤：1)通过薄膜沉积的方法在太阳能电池片上沉积一层金属层；2)沉积后将太阳能电池板送入退火炉中退火；3)随后在纳米金属膜上再沉积一层钝化层。通过在薄膜太阳能电池片上沉积金属层，不需要采用模板法，通过简单的低温退火工艺即可获得尺寸均一可控的金属纳米颗粒；同时可以获得最优化的纳米尺寸，从而获得最优化的等离子体增效的薄膜太阳能电池。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子体 薄膜 太阳能电池 增效 方法 | ||
【主权项】：
一种等离子体薄膜太阳能电池增效方法，包括以下步骤：1)通过薄膜沉积的方法在太阳能电池片上沉积一层金属薄膜；2)将沉积了金属薄膜的太阳能电池板送入退火炉中退火；3)退火后，在所述金属薄膜上再沉积一层钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
