[发明专利]一种等离子体薄膜太阳能电池增效方法无效
申请号: | 201010243362.5 | 申请日: | 2010-08-02 |
公开(公告)号: | CN101937939A | 公开(公告)日: | 2011-01-05 |
发明(设计)人: | 刘尧平;梅增霞;侯尧楠;杜小龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L51/48;H01G9/20 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 尹振启;马知非 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子体 薄膜 太阳能电池 增效 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种用于制备高效薄膜太阳能电池的方法,特别是一种等离子体薄膜太阳能电池的增效方法
背景技术
由于硅是一种间接带隙半导体材料,因此硅基的太阳能电池对长波段光的吸收较弱,为了提高电池效率,通常需要增强硅基体对光的吸收。对于硅块体的太阳能电池来说,现有技术中通常采用金字塔型的结构来增强吸收、降低光的反射。但是金字塔结构的尺寸一般在10um左右,所以对于厚度只有1~2um的薄膜电池而言,这种结构并不适用。因此需要采用新的技术手段来解决这个问题。方法之一就是等离子体薄膜太阳能电池,即通过在薄膜太阳能电池片表面蒸镀金属纳米颗粒,利用其对入射太阳光的散射来达到对光的限制,从而增强太阳能电池片对光的吸收。S.Pillai等人通过在1.25um厚的硅片上沉积银的方法,将光电流提高了30%(J.Appl.Phys.101,093105,2007)。Keisuke Nakamura则通过阳极氧化铝(AAO)模板法在GaAs上沉积了银纳米颗粒,将短路电流提高了8%(Appl.Phys.Lett.93,121904,2008)。此外,已经有关于通过该种办法提高GaN基以及有机薄膜太阳能电池的发电效率的相关报道。但是至今为止,还没有人就纳米颗粒的尺寸对薄膜电池效率的影响进行深入的研究。K.R.Catchpole在2008年曾就金属颗粒的尺寸大小对薄膜太阳能电池的影响进行了理论计算,他们认为金属颗粒在100nm左右时能够获得最优的效果。目前现有的研究结果均表明,通过简单的工艺或方法制备的金属纳米颗粒尺寸是不可控的,而制备尺寸可控的或者是最优化的金属纳米颗粒(~100nm)则需要较为昂贵的设备或者较为复杂的工艺。
发明内容
针对现有技术存在的问题,本发明的目的在于提供一种简单有效的控制太阳能电池板上沉积的金属纳米颗粒大小的办法,获得最优的金属颗粒尺寸(~100nm),从而获得高效的等离子体薄膜太阳能电池。
一种等离子体薄膜太阳能电池增效方法,包括以下步骤:
1)通过薄膜沉积的方法在太阳能电池片上沉积一层金属薄膜;
2)将沉积了金属薄膜的太阳能电池板送入退火炉中退火;
3)退火后,在所述金属薄膜上再沉积一层钝化层。
进一步,所述太阳能电池片的材质为:硅薄膜,GaAs基薄膜电池,GaN基薄膜电池、CdTe基薄膜电池以及有机薄膜太阳能电池和染料敏化电池。
进一步,所述步骤1)中的金属薄膜沉积方法为:热蒸发、磁控溅射或电子束蒸发法。
进一步,所述步骤1)中金属薄膜的材质为:金、银、铜、铂中的一种或者其合金。
进一步,所述步骤2)具体为:沉积后将太阳能电池板送入退火炉中退火;退火温度为:100~300℃,退火时间为:10~60分钟。
进一步,所述步骤3)中的钝化层材质为:SiOX,TiO2或ZrO2;钝化层保护金属薄膜层中的金属纳米颗粒,防止其被氧化,以实现较长的使用寿命。
进一步,所述步骤3)中的钝化层沉积方法为:热蒸发法、磁控溅射法或电子束蒸发法。
进一步,所述步骤3)中的钝化层沉积厚度为3nm-10nm。
本发明的有益效果为:通过在薄膜太阳能电池片上沉积金属层,不需要采用模板法,通过简单的低温退火工艺即可获得尺寸均一可控的金属纳米颗粒;同时可以获得最优化的纳米尺寸,从而获得最优化的等离子体增效的薄膜太阳能电池。
附图说明
图1为本发明实施例1中太阳能电池板的结构示意图。
图2为本发明实施例1获得的银纳米颗粒表面。
图3为本发明实施例2获得的银纳米颗粒表面。
图4为本发明实施例3制备的30nm银薄膜层。
图5为本发明实施例3获得的银纳米颗粒表面。
具体实施方式
下面结合本发明的制备方法和附图对本发明进行详细说明:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的