[发明专利]具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201010240020.8 | 申请日： | 2010-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101989603B | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 张世亿 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L27/108;H01L21/8239;H01L21/8242;H01L21/318 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;黄启行 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，包括：第一区和第二区；配置在第一区中的掩埋栅；以及围绕第一区的防氧化阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 掩埋 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一区和第二区；在所述第一区和所述第二区中限定有源区的隔离层；配置在所述第一区中的掩埋栅；以及防氧化阻挡层，所述防氧化阻挡层围绕整个所述第一区以防止所述掩埋栅发生劣化，其中，所述防氧化阻挡层被配置在所述第一区与所述第二区之间的边界区中，并且被形成在所述隔离层中，其中，所述隔离层包括绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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