[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201010231768.1 | 申请日： | 2006-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101950740A | 公开（公告）日： | 2011-01-19 |
| 发明（设计）人： | 坂仓真之;大沼英人;桑原秀明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/77;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是在不增加步骤数的情况下防止断裂或不良接触，从而形成具有高驱动性能和可靠性的集成电路。本发明将各自设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成抗蚀剂图案以形成下引线的第一层和窄于第一层的第二层来减缓陡直阶梯。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置，包括：形成在衬底上的栅极引线，所述栅极引线包括第一导电膜和形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；在所述栅极引线上的绝缘膜；形成在所述绝缘膜上并与所述栅极引线相交的源极引线，所述绝缘膜插入在所述源极引线和所述栅极引线之间；和形成在所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括电连接于所述栅极引线的栅电极和电连接于所述源极引线的源极；和像素电极，电连接于所述薄膜晶体管的漏极，其中，在所述栅极引线和所述源极引线的相交部分以及该相交部分的附近，所述第一导电膜延伸越过所述第二导电膜的侧边缘。
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