[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，包括：

形成在衬底上的栅极引线，所述栅极引线包括第一导电膜和形成在所述第一导电膜上的第二导电膜；

在所述栅极引线上的绝缘膜；

形成在所述绝缘膜上并与所述栅极引线相交的源极引线，所述绝缘膜插入在所述源极引线和所述栅极引线之间；和

形成在所述衬底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括电连接于所述栅极引线的栅电极和电连接于所述源极引线的源极；和

像素电极，电连接于所述薄膜晶体管的漏极，

其中，在所述栅极引线和所述源极引线的相交部分以及该相交部分的附近，所述第一导电膜延伸越过所述第二导电膜的侧边缘。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极引线的宽度和所述源极引线的宽度在除所述相交部分以及该相交部分附近以外的区域中是相同的。

3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一导电膜的宽度和所述第二导电膜的宽度之差在除所述相交部分以及该相交部分附近以外的区域中与所述相交部分及该相交部分附近中两者的宽度差相比较小。

4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极引线的侧面和所述源极引线的侧面是锥形的。

5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述栅极引线的侧面和衬底表面之间的角度小于所述源极引线的侧面和所述衬底表面之间的角度。

6.一种制造显示装置的方法，包括：

在绝缘表面上形成第一导电膜；

在所述第一导电膜上并与所述第一导电膜相接触地形成第二导电膜；

利用各自设有具有光强减小功能的图案的光掩模或光罩在所述第二导电膜上形成第一掩模和第二掩模，所述图案包括衍射光栅图案或半透明膜，其中所述第一掩模局部较薄；

通过用所述第一掩模和所述第二掩模蚀刻所述第一导电膜和所述第二导电膜来形成栅极引线；

形成覆盖所述栅极引线的绝缘膜；以及

在所述绝缘膜上形成源极引线以与所述栅极引线相交，

其中，所述源极引线在所述第一导电膜宽于所述第二导电膜的部分中与所述第一导电膜重叠，且

其中，所述源极引线和栅极引线相互电绝缘。

7.如权利要求6所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述第二掩模用于蚀刻以使所述栅极引线和所述源极引线的宽度相同。

8.如权利要求6所述的制造显示装置的方法，其特征在于，

所述栅极引线、所述源极引线和一半导体元件形成于一个衬底上，

所述半导体元件具有半导体层、栅绝缘膜和栅电极，

所述栅电极由第一栅电极和第二栅电极形成，所述第二栅电极形成于所述第一栅电极上并与所述第一栅电极相接触，

所述第一栅电极由与所述第一导电膜相同的材料且通过与其相同的步骤形成，以及

所述第二栅电极由与所述第二导电膜相同的材料且通过与其相同的步骤形成。

9.如权利要求6所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述第一导电膜和所述第二导电膜的侧面形成锥形。

10.如权利要求6所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述第一掩模是利用所述光掩模形成的，以在垂直于所述绝缘表面的方向上的横截面中具有至少一个180°或更大的内角。