[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本申请是中国国家申请号为200610137422.9，题为“半导体装置及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及包括含有半导体元件的电路的半导体装置及其制造方法。此外，本发明还涉及安装了包括有机发光元件或以液晶显示面板为代表的电光装置的发光显示装置作为部分部件的电子设备。注意，在本说明书中，半导体装置指的是通常通过利用半导体特性来工作的器件。电光装置、半导体电路和电子设备都是半导体装置。

背景技术

通常，众所周知这样一种结构，其中集成了薄膜晶体管(也称为TFT)以在有源矩阵液晶显示装置、图像传感器等中的电路形成于玻璃衬底上的情况下利用。在这种情况下，衬底上的布线一般通过以下步骤来形成：形成第一引线(下引线)、形成层间绝缘体、然后形成第二引线(上引线)。如果必要的话，可形成第三层和第四层布线。

此外，已知这样一种TFT制造过程，其中将各自都设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模(在下文中，称为曝光掩模)或光罩应用到用于形成栅电极的光刻步骤中(见专利文献1)。

专利文献1：日本公开专利申请第2000-151523号

包括半导体元件的半导体装置的一个问题是在下引线和其上形成的上引线彼此相交的部分(重叠部分)中上引线的断裂(即，阶梯拐角处引起的断裂)。该问题是由于下引线的边缘是陡直的，且其上形成的层间绝缘膜没有充分地覆盖下引线而引起的。

为了防止这一断裂，需要加厚上引线。例如，上引线理想地是栅引线(下引线)厚度的两倍。然而，这意味着集成电路的不均匀性被进一步增加。另外，当要求引线形成于集成电路之上时，需要考虑由于上引线厚度引起的引线断裂。此外，当形成一种其中集成电路的不均匀性类似于液晶显示装置那样不利的电路时，实际上不可能增加上引线的厚度。

发明内容

在集成电路中，一个断裂导致整体的缺陷。因此，减少断裂是一个重大的难题。本发明的目的是提供一种在不增加步骤数的情况下减少断裂的缺陷以及提高集成电路的成品率的方法。

本发明的一个目的是提供一种包括具有高驱动性能和可靠性的电路的半导体装置。本发明的另一个目的是通过提高半导体装置的可靠性来提高包括该半导体装置的电子设备的可靠性。

本发明将各自都设有衍射光栅图案或由具有光强减小功能的半透明膜形成的辅助图案的光掩模或光罩应用到用于在引线的重叠部分中形成引线的光刻步骤中。并且形成用作两层结构的下引线的导电膜，然后，形成光刻胶图案以形成第一层下引线和比第一层窄的第二层来减缓陡直的阶梯。注意，在本说明书中，下引线、层间绝缘膜和上引线依次形成于衬底上。

本说明书中公开的结构之一包括：形成于绝缘表面之上的第一引线；形成于第一引线之上并在与第一引线相同的方向上延伸的第二引线；第二引线之上并覆盖第二引线的绝缘膜；以及形成于绝缘膜之上并与第一引线和第二引线相交的第三引线；其中在与第二引线和第三引线的相交部分和相交部分的附近，第一引线比第二引线宽。

本说明书中公开的结构之一包括：形成于绝缘表面之上的第一引线；形成于第一引线之上并在与第一引线相同的方向上延伸的第二引线；形成于第二引线之上并电连接到第一引线和第二引线且与第一和第二引线相交的第三引线；以及覆盖第一引线、第二引线和第三引线的绝缘膜；其中在与第二引线和第三引线的相交部分和相交部分的附近，第一引线比第二引线宽。

注意，在除与第二引线和第三引线相交的部分和相交部分的附近外的区域，第一引线和第二引线的宽度较佳地为相同或几乎相同。或者，在除与第二引线和第三引线的相交部分和相交部分的附近外的区域，第一引线和第二引线的宽度之差较佳地较小。即，第一引线和第二引线的宽度之差较佳地在除相交部分和相交部分的附近外的区域中小于相交部分和相交部分的附近的区域中的宽度差。

在除相交部分和相交部分的附近外的区域中，不考虑断裂；因此，第一引线可被形成得较窄。因此，第一引线在相交部分和相交部分附近的宽度以及第一引线在除相交部分和相交部分附近外的区域中的宽度较佳地相同或几乎相同。或者，第一引线在除相交部分和相交部分附近外的区域中较佳地比第一引线在相交部分和相交部分附近处窄。