[发明专利]静态随机存取内存宏及用以操作其的方法有效

专利信息
申请号: 201010228343.5 申请日: 2010-07-08
公开(公告)号: CN102148056A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 李政宏;郑宏正;陆崇基 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 陈红
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明揭露一种静态随机存取内存(static random access memory,SRAM)宏及用以操作其的方法,静态随机存取内存宏包含:一第一电源电压;和一第二电源电压,其不同于该第一电源电压。一预充电控制器,其连接至该第二电源电压。该预充电控制器通过一位线预充电器耦接至一位线。至少一位准位移器接收一位准位移输入。该位准位移器将该位准位移器输入转换成一位准位移器输出,其中该位准位移器输入有一输入电压位准,其相较于该第二电源电压,该输入电压位准较接近该第一电源电压;及该位准位移器输出有一输出电压位准,其相较于该第一电源电压,该输出电压位准较接近该第二电源电压。该位准位移器输出被提供至该预充电控制器。
搜索关键词: 静态 随机存取 内存 用以 操作 方法
【主权项】:
一种静态随机存取内存宏,其特征在于,包含:一第一电源电压;一第二电源电压,其不同于该第一电源电压;一预充电控制器,其连接至该第二电源电压,该预充电控制器通过一位线预充电器耦接至一位线;及至少一位准位移器,其中该至少一位准位移器经调适以:(a)接收一输入电压,相较于该第二电源电压,该输入电压较接近该第一电源电压,(b)将该输入电压转换为一位准位移器输出,其具有一输出电压,相较于该第一电源电压,该输出电压较接近该第二电源电压,及(c)提供该位准位移器输出至该预充电控制器。
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