[发明专利]静态随机存取内存宏及用以操作其的方法有效

专利信息
申请号: 201010228343.5 申请日: 2010-07-08
公开(公告)号: CN102148056A 公开(公告)日: 2011-08-10
发明(设计)人: 李政宏;郑宏正;陆崇基 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: G11C11/413 分类号: G11C11/413
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 陈红
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 静态 随机存取 内存 用以 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种静态随机存取内存宏,其特征在于,包含:

一第一电源电压;

一第二电源电压,其不同于该第一电源电压;

一预充电控制器,其连接至该第二电源电压,该预充电控制器通过一位线预充电器耦接至一位线;及

至少一位准位移器,其中该至少一位准位移器经调适以:

(a)接收一输入电压,相较于该第二电源电压,该输入电压较接近该第一电源电压,

(b)将该输入电压转换为一位准位移器输出,其具有一输出电压,相较于该第一电源电压,该输出电压较接近该第二电源电压,及

(c)提供该位准位移器输出至该预充电控制器。

2.根据权利要求1所述的静态随机存取内存宏,其特征在于,该预充电控制器包含至少一第一PMOS晶体管,及提供该位准位移器输出给该至少一第一PMOS晶体管的一栅极。

3.根据权利要求1所述的静态随机存取内存宏,其特征在于,还包含一字线驱动器,其连接至该第二电源电压,其中该位准位移器输出被提供给该字线驱动器。

4.根据权利要求1所述的静态随机存取内存宏,其特征在于,还包括一感应放大器,其具有一感应放大器输入和一感应放大器输出,其中该感应放大器输入被连接到该位线,该感应放大器输出被连接到一下拉NMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的静态随机存取内存宏,其特征在于,该预充电控制器耦合至一位线预充电器,该位线预充电器包括至少二位线预充电PMOS晶体管,及该至少二位线预充电PMOS晶体管可对连接到该第二电源电压的该位线进行预充电。

6.一种用以操作静态随机存取内存宏的方法,其特征在于,包括下列步骤:

输入一输入信号到该静态随机存取内存宏,其中该输入信号具有一输入电压位准,其等于一第一电源电压;

输入该输入信号的至少一部分至一位准位移器,以作为一位准位移器输入;

转换该位准位移器输入至一位准位移器输出,其具有一输出电压位准,其等于一第二电源电压;及

输入该位准位移器输出至一预充电控制器的一输入。

7.根据权利要求6所述的用以操作静态随机存取内存宏的方法,其特征在于,该预充电控制器包含至少一第一PMOS晶体管,及提供该位准位移器输出给该至少一第一PMOS晶体管的一栅极。

8.根据权利要求6所述的用以操作静态随机存取内存宏的方法,其特征在于,还包括输入该位准位移器输出至一字线驱动器的一输入。

9.根据权利要求6所述的用以操作静态随机存取内存宏的方法,其特征在于,还包含将在该静态随机存取内存宏的一感应放大器连接到该第二电源电压。

10.根据权利要求6所述的用以操作静态随机存取内存宏的方法,其特征在于,还包括当该第二电源电压高于减去0.2伏特的该第一电源电压时,将在该静态随机存取内存宏的一感应放大器连接至该第一电源电压。

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