[发明专利]在氮化硅表面淀积氧化硅的方法有效
| 申请号： | 201010228240.9 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102312225A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在氮化硅表面淀积氧化硅的方法，包括如下步骤：提供基底，所述基底上采用化学气相沉积方法淀积有一层氮化硅；对所述氮化硅表面进行等离子体处理；在所述等离子体处理后的氮化硅的上表面淀积氧化硅。本发明方案能够很好地改善氧化硅的平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 表面 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种在氮化硅表面淀积氧化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底，所述基底上采用化学气相沉积方法淀积有一层氮化硅；对所述氮化硅表面进行等离子体处理；在所述等离子体处理后的氮化硅的上表面淀积氧化硅。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
