[发明专利]在氮化硅表面淀积氧化硅的方法有效
| 申请号： | 201010228240.9 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN102312225A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/34;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化 表面 氧化 方法 | ||
1.一种在氮化硅表面淀积氧化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供基底，所述基底上采用化学气相沉积方法淀积有一层氮化硅；
对所述氮化硅表面进行等离子体处理；
在所述等离子体处理后的氮化硅的上表面淀积氧化硅。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述氮化硅表面进行等离子体处理包括：
在硅片所在反应室内通入臭氧O3、氧气O2、氧化氮N2O或上述气体的混合气体，将所述气体电离得到等离子体，用所述等离子体对所述氮化硅表面进行等离子体处理。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述氮化硅表面进行等离子体处理的持续时间为30秒至60秒。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述等离子体的温度为350摄氏度至480摄氏度。
5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反应室内压强为3托至7托。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，用于将所述气体电离的RF发生器的功率为400瓦至600瓦。
7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，通入反应室的气体流量为10000sccm至20000sccm。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述等离子体处理后的氮化硅的上表面淀积氧化硅为：采用次常压化学气相沉积SACVD方法，以四乙基正硅酸盐为反应物在所述等离子体处理后的氮化硅的上表面淀积氧化硅。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
