[发明专利]半导体光刻工艺有效
| 申请号： | 201010227584.8 | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN102213914A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 黄沛霖;黄浚彦;王逸铭 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人： | 刘云贵 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体光刻工艺包含：提供基材；于基材上形成光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层曝露于第一光源下，进行相对较低剂量的全面预曝光；将光致抗蚀剂层以步进及扫瞄的方式曝露于第二光源下，进行相对较高剂量的主曝光；于烘烤之后，对光致抗蚀剂层进行显影工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体光刻工艺，包含：提供基材；于该基材上形成光致抗蚀剂层；将该光致抗蚀剂层曝露于第一光源下，进行相对较低剂量的全面预曝光；将该光致抗蚀剂层以步进及扫瞄的方式曝露于第二光源下，进行相对较高剂量的主曝光；以及对该光致抗蚀剂层进行显影工艺。
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