[发明专利]半导体光刻工艺

权利要求书

1.一种半导体光刻工艺，包含：

提供基材；

于该基材上形成光致抗蚀剂层；

将该光致抗蚀剂层曝露于第一光源下，进行相对较低剂量的全面预曝光；

将该光致抗蚀剂层以步进及扫瞄的方式曝露于第二光源下，进行相对较高剂量的主曝光；以及

对该光致抗蚀剂层进行显影工艺。

2.根据权利要求1所述的半导体光刻工艺，其特征在于该全面预曝光不使用光掩模。

3.根据权利要求1所述的半导体光刻工艺，其特征在于该第一及第二光源的剂量均低于使该光致抗蚀剂层成像的临界能量。

4.根据权利要求3所述的半导体光刻工艺，其特征在于该第一光源的剂量与第二光源的剂量的总和大于使该光致抗蚀剂层成像的该临界能量，以形成潜电路图案。

5.根据权利要求3所述的半导体光刻工艺，其特征在于使用于该全面预曝光的该第一光源不同于使用于该主曝光的该第二光源。

6.一种半导体光刻工艺，包含：

提供基材；

涂布光致抗蚀剂层于该基材上；

以步进及扫瞄的方式，对该光致抗蚀剂层进行微曝光，以使该光致抗蚀剂层曝光于相对较低剂量的第一光源；

以步进及扫瞄的方式，对该光致抗蚀剂层进行主曝光，以使该光致抗蚀剂层曝光于相对较高剂量的第二光源，其特征在于该主曝光是利用光掩模曝光；以及

对该光致抗蚀剂层进行显影工艺。

7.根据权利要求6所述的半导体光刻工艺，其特征在于该微曝光不使用光掩模。

8.根据权利要求6所述的半导体光刻工艺，其特征在于该第一及第二光源的剂量均低于使该光致抗蚀剂层成像的临界能量。

9.根据权利要求8所述的半导体光刻工艺，其特征在于该第一光源的剂量与该第二光源的剂量的总和大于使该光致抗蚀剂层成像的该临界能量，以形成潜电路图案。

10.根据权利要求6所述的半导体光刻工艺，其特征在于使用于该微曝光工艺的该第一光源与使用于该主曝光的该第二光源相同。