[发明专利]非易失性存储设备及其控制方法无效
| 申请号： | 201010225189.6 | 申请日： | 2010-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN101916589A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 赵麒 | 申请（专利权）人： | 成都市华为赛门铁克科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 611731 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种非易失性存储设备及其控制方法，其中非易失性存储设备包括一个以上的FLASH芯片、FLASH控制器，以及连接所述FLASH芯片与FLASH控制器的CE控制线和读写使能控制线，所述CE控制线为总线式控制线；所述各个FLASH芯片分别通过两条读写使能控制线与FLASH控制器连接，用于在FLASH控制器通过所述CE控制线同时开启各个FLASH芯片后，选择读写操作的目的FLASH芯片并进行读写操作控制，本发明实施例还提供了相应的控制方法。本发明上述实施例提供的设备及其控制方法，能够有效减少FLASH控制器上的管脚需求，提高存储设备的可扩展性能。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储设备，其特征在于，包括一个以上的FLASH芯片、FLASH控制器，以及连接所述FLASH芯片与FLASH控制器的片选信号控制线和读写使能控制线；所述片选信号控制线为总线式控制线，用于与各个所述FLASH芯片连接，并控制所述各个FLASH芯片的开启与关闭；各个所述FLASH芯片分别通过两条读写使能控制线与FLASH控制器连接，用于在FLASH控制器通过所述片选信号控制线开启各个FLASH芯片后，选择读写操作的目的FLASH芯片，并对所述读写操作的目的FLASH芯片进行读写操作控制。
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