[发明专利]非易失性存储设备及其控制方法

权利要求书

1.一种非易失性存储设备，其特征在于，包括一个以上的FLASH芯片、FLASH控制器，以及连接所述FLASH芯片与FLASH控制器的片选信号控制线和读写使能控制线；

所述片选信号控制线为总线式控制线，用于与各个所述FLASH芯片连接，并控制所述各个FLASH芯片的开启与关闭；

各个所述FLASH芯片分别通过两条读写使能控制线与FLASH控制器连接，用于在FLASH控制器通过所述片选信号控制线开启各个FLASH芯片后，选择读写操作的目的FLASH芯片，并对所述读写操作的目的FLASH芯片进行读写操作控制。

2.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其特征在于，所述两条读写使能控制线；

其中一条为读使能控制线，用于在FLASH控制器通过所述片选信号控制线开启各个FLASH芯片后，选择读操作的目的FLASH芯片并进行读操作控制；

另一条为写使能控制线，用于在FLASH控制器通过所述片选信号控制线开启各个FLASH芯片后，选择写操作的目的FLASH芯片并进行写操作控制。

3.根据权利要求2所述的非易失性存储设备，其特征在于，还包括连接所述各个FLASH芯片与FLASH控制器的QS控制线。

4.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其特征在于，还包括连接所述各个FLASH芯片与FLASH控制器的DQS控制线；

所述两条读写使能控制线，其中一条为时钟控制线，用于向目的FLASH芯片输出控制时钟信号；另一条为读写方向控制线，用于在FLASH控制器通过所述片选信号控制线开启各个FLASH芯片后，根据所述控制时钟信号对目的FLASH芯片进行读写操作控制。

5.根据权利要求1所述的非易失性存储设备，其特征在于，所述片选信号控制线数目为各个FLASH芯片中片选信号最多的FLASH芯片的片选信号数目。

6.一种非易失性存储设备的控制方法，其特征在于，包括：

通过片选信号控制线向存储设备的各个FLASH芯片发送启动信号以开启所述各个FLASH芯片，所述片选信号控制线为总线式控制线，用于与存储设备中的各个FLASH芯片连接，控制所述各个FLASH芯片的开启与关闭；

通过读写使能控制线向目的FLASH芯片发送读写操作控制信号，所述目的FLASH芯片与FLASH控制器之间通过两条读写使能控制线连接。

7.根据权利要求6所述的非易失性存储设备的控制方法，其特征在于，所述通过读写使能控制线向目的FLASH芯片发送读写操作控制信号包括：

在FLASH控制器通过所述片选信号控制线开启各个FLASH芯片后，通过读使能控制线向目的FLASH芯片发送读操作控制信号；或

在FLASH控制器通过所述片选信号控制线开启各个FLASH芯片后，通过写使能控制线向目的FLASH芯片发送写操作控制信号。

8.根据权利要求6所述的非易失性存储设备的控制方法，其特征在于，所述通过读写使能控制线向目的FLASH芯片发送读写操作控制信号包括：

通过时钟控制线向目的FLASH芯片发送时钟控制信号；

通过读写方向控制线，并根据所述时钟控制信号在FLASH控制器通过所述片选信号控制线同时开启各个FLASH芯片后，对目的FLASH芯片进行读写操作控制。

9.根据权利要求6所述的非易失性存储设备的控制方法，其特征在于，所述片选信号控制线数目为各个FLASH芯片中片选信号最多的FLASH芯片的片选信号数目。