[发明专利]电容成像的方法无效
| 申请号： | 201010223574.7 | 申请日： | 2010-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN101893974A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 尹建涛;张晶 | 申请（专利权）人： | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/044 | 分类号： | G06F3/044 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出一种电容式成像的方法，包括从多个角度扫描物体表面，并采集各扫描面的电容值数据，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：以层为单位，计算差分电容值，若存在差分电容值大于等于第一阈值的点，则选出属于同一扫描面的差分电容值的最大值点，在各层确定成型区域；将各层的成形区域的差分电容值分别分布量化，并分别绘制同层的封闭曲线；逐层连接每层的封闭曲线，并成像。本发明的有益效果如下：可以快速、精确地实现物体成像。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 成像 方法 | ||
【主权项】：
一种电容式成像的方法，包括从多个角度扫描物体表面，并采集各扫描面的电容值数据，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：(a)以层为单位，在同一层中，计算各扫描面的差分电容值，若存在差分电容值大于等于第一阈值的点，则选出属于同一所述扫描面的差分电容值的最大值点，并在各层确定成型区域；(b)将各层的所述成形区域的差分电容值分别分布量化，并分别绘制同层的封闭曲线；(c)逐层连接每层的所述封闭曲线，并成像。
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