[发明专利]电容成像的方法无效
申请号: | 201010223574.7 | 申请日: | 2010-07-09 |
公开(公告)号: | CN101893974A | 公开(公告)日: | 2010-11-24 |
发明(设计)人: | 尹建涛;张晶 | 申请(专利权)人: | 苏州瀚瑞微电子有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215163 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 成像 方法 | ||
1.一种电容式成像的方法,包括从多个角度扫描物体表面,并采集各扫描面的电容值数据,其特征在于,所述方法还包括以下步骤:
(a)以层为单位,在同一层中,计算各扫描面的差分电容值,若存在差分电容值大于等于第一阈值的点,则选出属于同一所述扫描面的差分电容值的最大值点,并在各层确定成型区域;
(b)将各层的所述成形区域的差分电容值分别分布量化,并分别绘制同层的封闭曲线;
(c)逐层连接每层的所述封闭曲线,并成像。
2.如权利要求1所述的电容式成像的方法,其特征在于,步骤(a)中,若存在所述扫描面上的差分电容值均小于所述第一阈值,则没有物体在相应的扫描面被扫描。
3.如权利要求1所述的电容式成像的方法,其特征在于,步骤(b)中,若属于同层且同扫描面的差分电容值的最大值点大于等于两个,则根据所述差分电容值分别分布量化的结果,优先绘制属于同扫描面的差分电容值的最大值点之间的短曲线。
4.如权利要求3所述的电容式成像的方法,其特征在于,绘制属于同扫描面的差分电容值的最大值点之间的短曲线后,再连接相邻扫描面且属于同层的所述短曲线。
5.如权利要求1所述的电容式成像的方法,其特征在于,步骤(b)中,若同层且同扫描面的差分电容值的最大值点为一个,则根据所述差分电容值分别分布量化的结果,在相邻扫描面的差分电容值最大值点之间,绘制短曲线。
6.如权利要求1所述的电容式成像的方法,其特征在于,所述同层的封闭曲线为至少一个。
7.如权利要求6所述的电容式成像的方法,其特征在于,将每一层的所述封闭曲线,根据坐标关系,逐层相连成一封闭体。
8.如权利要求1所述的电容式成像的方法,其特征在于,成像时,根据差分电容值的不同,对成像做相应的处理,包括边缘的锐化、对比度的调整等等。
9.权利要求1或2所述的电容式成像的方法,其特征在于,所述第一阈值由用户自定义。
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