[发明专利]具有薄氮化硅层的金刚石SOI有效
| 申请号： | 201010222737.X | 申请日： | 2010-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN102142363A | 公开（公告）日： | 2011-08-03 |
| 发明（设计）人： | R·C·杰罗姆;F·希伯特;C·麦克拉克伦;K·胡平格纳 | 申请（专利权）人： | 英特赛尔美国股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于半导体器件的方法和结构，所述半导体器件包括形成在金刚石SOI层和器件硅层之间的薄氮化物层，以阻挡离子的扩散和提高器件硅的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 氮化 金刚石 soi | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，包括：在金刚石SOI层和器件层之间沉积薄氮化物层以形成器件晶片；在器件晶片上沉积多晶硅层；使器件晶片的有效一侧上的多晶硅平整化；以及把器件晶片的经平整化的一侧附加到手柄晶片以形成器件结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
