[发明专利]具有薄氮化硅层的金刚石SOI

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，包括：

在金刚石SOI层和器件层之间沉积薄氮化物层以形成器件晶片；

在器件晶片上沉积多晶硅层；

使器件晶片的有效一侧上的多晶硅平整化；以及

把器件晶片的经平整化的一侧附加到手柄晶片以形成器件结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述器件结构的手柄晶片一侧上沉积多晶硅；以及

对所述器件结构的器件一侧进行抛光。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述器件层包括硅。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，抛光包括将所述器件结构的器件一侧抛光到器件晶片的金刚石-硅界面的约3到7微米之内。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄氮化物层包括氮化硅。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄氮化物层包括约0.1微米的厚度。

7.一种形成半导体器件的方法，包括：

通过所述方法形成器件晶片包括：

在器件硅层上形成氧化物层；

在氧化物层上形成氮化物阻挡层；

在氮化物阻挡层上形成金刚石层；

在金刚石层上沉积薄氮化物层；

在器件晶片上沉积多晶硅层；以及

对器件晶片的有效一侧上的多晶硅进行平整化；

把器件晶片附加到手柄晶片以形成器件结构；

在器件结构的手柄晶片一侧上沉积多晶硅；以及

将所述器件结构的器件一侧抛光到器件晶片的金刚石-硅界面的约3到7微米之内。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：

在金刚石层和多晶硅的界面处放置氮化物阻挡层，所述氮化物阻挡层完全密封所述金刚石层。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述氮化物包括氮化硅。

10.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述薄氮化物层包括约0.1微米的厚度。