[发明专利]一种半导体及其制造方法无效
| 申请号： | 201010222449.4 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102315263A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 黄胤富;锺淼钧;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种具有提高崩溃电压及特定导通电阻的侧向式双重扩散的金属-氧化层-半导体。设置于结构内并环绕轻掺杂区的P场域提高崩溃电压并维持在特定的低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含：一第一导电型的一衬底；一外延层，形成于该衬底上方；一第二导电型的一第一阱区，形成于该外延层中；该第二导电型的一第二阱区，形成于该外延层中并与该第一阱区隔开；该第一导电型的一第三阱区，形成于该第一阱区与该第二阱区之间；该第一导电型的一场区，形成于该第三阱区的一表面中，并与该第一阱区及该第二阱区隔开；以及该第一导电型的一漏极区，形成于该场区的一表面中并延伸进入该场区。
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