[发明专利]一种半导体及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包含：

一第一导电型的一衬底；

一外延层，形成于该衬底上方；

一第二导电型的一第一阱区，形成于该外延层中；

该第二导电型的一第二阱区，形成于该外延层中并与该第一阱区隔开；

该第一导电型的一第三阱区，形成于该第一阱区与该第二阱区之间；

该第一导电型的一场区，形成于该第三阱区的一表面中，并与该第一阱区及该第二阱区隔开；以及

该第一导电型的一漏极区，形成于该场区的一表面中并延伸进入该场区。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中

该第一导电型是P型；且

该第二导电型是N型。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中

该第一导电型是N型；且

该第二导电型是P型。

4.如权利要求1所述的半导体结构，还包含该第二导电型的一埋入区，形成于该外延层中并延伸进入该衬底，其中

该第一阱区从该外延层的一表面延伸至该埋入区的一上部范围，该第一阱区覆盖于该埋入区的一部分上并侧向延伸超过该埋入区；

该第二阱区从该外延层的该表面延伸至该埋入区的该上部范围，该第二阱区覆盖于该埋入区的一部分上并超过该埋入区；且

该场区与该埋入区隔开。

5.如权利要求4所述的半导体结构，还包含：

一第一绝缘区，覆盖于该第二阱区的一部分、该第三阱区的一部分、以及该场区的一部分上；以及

一栅极电极，形成于在该第二阱区的该部分上方的该第一绝缘区上，并延伸遍及该第三阱区的一部分。

6.如权利要求5所述的半导体结构，还包含一源极区，形成于该第二阱区的一表面中并延伸进入该第二阱区。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其中该源极区包含：

该第二导电型的一第一部分；以及

该第一导电型的一第二部分，该第二部分邻接该第一部分。

8.如权利要求5所述的半导体结构，还包含：

一第二绝缘区，覆盖于并延伸进入该第一阱区，该第三阱区的一部分与该场区的一部分，该第二绝缘区延伸至该漏极区；

该第一导电型的一第四阱区，其与背对该第三阱区的该第二阱区邻接；以及

一第三绝缘区，覆盖于并延伸进入该第四阱区与该第二阱区的一部分，该第三绝缘区亦延伸至该源极区。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该些绝缘区包含场氧化层。

10.一种方法，包含以下步骤：

形成一隐埋层于一第一导电型的一衬底；

沉积该第一导电型的一外延层于该衬底及该隐埋层之上；

形成一第二导电型的第一与第二阱于该外延层中；

形成该第一导电型的一第三阱在该第一与第二阱之间；

形成该第一导电型的一场区于该第三阱中，该场区与该第一与第二阱及该隐埋层隔开；以及

形成该第一导电型的一漏极区于该场区中。

11.如权利要求10所述的方法，其中：

该第一导电型是P型；

该第二导电型是N型；且

该场区的形成是在注入该第一、第二及第三阱之后。

12.如权利要求10所述的方法，其中：

该第一导电型是N型；

该第二导电型是P型；且

该场区的形成是在注入该第一、第二及第三阱之后。

13.如权利要求10所述的方法，其中：

该隐埋层是由具有第二导电型的材料所形成；

形成该第一及该第二阱包括掺杂第二导电型的原子于该外延层的一表面；以及

形成该第三阱包括掺杂第一导电型的原子于该外延层的该表面。

14.如权利要求13所述的方法，其中形成该第一、该第二及该第三阱还包括趋入该些阱至与该隐埋层之一上范围同样的深度。