[发明专利]地址控制电路以及半导体存储装置有效
| 申请号： | 201010222330.7 | 申请日： | 2010-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN102063934A | 公开（公告）日： | 2011-05-18 |
| 发明（设计）人： | 李京夏;李周炫 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出一种用以降低写入操作模式时的偏差的地址控制电路。该地址控制电路包含一读取列地址控制电路和一写入列地址控制电路。该读取列地址控制电路被配置为在一读取操作模式的第一突发周期期间，用以自一地址产生一读取列地址。该写入列地址控制电路被配置为在一写入操作模式的第二突发周期期间，用以自该地址产生一写入列地址。 | ||
| 搜索关键词： | 地址 控制电路 以及 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种地址控制电路，包含：一读取列地址控制电路，其被配置为在一读取操作模式的第一突发周期期间，从一地址产生一读取列地址；和一写入列地址控制电路，其被配置为在一写入操作模式的第二突发周期期间，从该地址产生一写入列地址。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201010222330.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：原位烯烃聚合催化剂体系
- 下一篇：一种应用程序的启动方法及移动终端
