[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法有效
| 申请号： | 201010221421.9 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102157430A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;曾国华;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一实施例提供一种形成浅沟槽隔离结构的方法，该方法包括：提供一基底，基底包括一顶部表面，形成一沟槽，从顶部表面延伸入基底中，其中沟槽具有一侧壁和一底部表面，形成一衬氧化层于侧壁和底部表面，于一等离子体环境中处理衬氧化层，等离子体环境包括NF3、F2和BF2的至少一个，及于沟槽中填入一介电材料。本发明提供的方法可以改善基底上的元件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟槽 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供一基底，包括一顶部表面；形成一沟槽，从该顶部表面延伸入该基底中，其中该沟槽具有一侧壁和一底部表面；形成一衬氧化层于该侧壁和该底部表面；于一等离子体环境中处理该衬氧化层，该等离子体环境包括NF3、F2和BF2的至少一个；及于该沟槽中填入一介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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