[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法有效
| 申请号： | 201010221421.9 | 申请日： | 2010-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN102157430A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;曾国华;蔡正原 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 沟槽 隔离 结构 方法 | ||
1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：
提供一基底，包括一顶部表面；
形成一沟槽，从该顶部表面延伸入该基底中，其中该沟槽具有一侧壁和一底部表面；
形成一衬氧化层于该侧壁和该底部表面；
于一等离子体环境中处理该衬氧化层，该等离子体环境包括NF3、F2和BF2的至少一个；及
于该沟槽中填入一介电材料。
2.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其中该等离子体环境包括NF3。
3.如权利要求1所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其中该等离子体环境还包括一载气，该载气系择自由H2、He、N2、Ne、Ar、Kr、Xe和Rn组成的群组。
4.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：
提供一基底，包括一顶部表面；
形成一沟槽，从该顶部表面延伸入该基底中，其中该沟槽具有一侧壁和一底部表面；
形成一衬氧化层于该侧壁和该底部表面；
于该沟槽中填入一介电材料；及
进行一离子注入工艺，于该介电材料中形成一调整区，其中该调整区包括氟基。
5.如权利要求4所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其中该氟基是使用包括BF2或NF3的离子源的离子注入工艺形成。
6.如权利要求4所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其中该离子注入工艺是在能量范围5Kev～15Kev的条件下进行。
7.如权利要求4所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其中该离子注入工艺注入氟基的量为5×1013～5×1015atoms/cm3。
8.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：
提供一基底，包括一顶部表面；
形成一沟槽，从该顶部表面延伸入该基底中，其中该沟槽具有一侧壁和一底部表面；
于一第一工艺室中形成一衬氧化层于该侧壁和该底部表面；
在一第二工艺室中包括NF3的等离子体环境中进行一等离子体处理，该第二工艺室中不包括该基底；
在该等离子体处理后，在该第二工艺室中于该沟槽中填入一介电材料。
9.如权利要求8所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其中该NF3的流量为500sccm～600sccm。
10.如权利要求8所述的形成浅沟槽隔离结构的方法，其中该等离子体处理的操作功率为2000W～10000W。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
