[发明专利]非挥发性记忆体及其操作方法有效
| 申请号： | 201010218256.1 | 申请日： | 2010-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN102314942A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张耀文;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34;G11C16/02;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种非挥发性记忆体及其操作方法。该非挥发性记忆体的操作方法，适用于具有第一储存位置与第二储存位置的多阶记忆胞，其包括下列步骤：设定一主要电压分布群组与多个次要电压分布群组，且主要电压分布群组与这些次要电压分布群组各自包括N个临界电压分布曲线，N为大于2的整数；依据程序化指令选出第一操作位准与第二操作位准；参照主要电压分布群组中对应第一操作位准的临界电压分布曲线来程序化第一储存位置；依据第一操作位准从这些次要电压分布群组中选取其一，并参照所选取的次要电压分布群组中对应第二操作位准的临界电压分布曲线来程序化第二储存位置。 | ||
| 搜索关键词： | 挥发性 记忆体 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的多阶记忆胞，该非挥发性记忆体的操作方法包括以下步骤：设定一主要电压分布群组与多个次要电压分布群组，以定义N个位准，其中该主要电压分布群组与该些次要电压分布群组各自包括用以对应所述N个位准的N个临界电压分布曲线，N为大于2的整数；依据一程序化指令而从所述N个位准中选出一第一操作位准与一第二操作位准；参照该主要电压分布群组中对应该第一操作位准的该临界电压分布曲线，将该第一储存位置程序化至该第一操作位准；以及依据该第一操作位准从该些次要电压分布群组中选取其一，并参照所选取的该次要电压分布群组中对应该第二操作位准的该临界电压分布曲线，将该第二储存位置程序化至该第二操作位准。
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