[发明专利]非挥发性记忆体及其操作方法

权利要求书

1.一种非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其适用于具有一第一储存位置与一第二储存位置的多阶记忆胞，该非挥发性记忆体的操作方法包括以下步骤：

设定一主要电压分布群组与多个次要电压分布群组，以定义N个位准，其中该主要电压分布群组与该些次要电压分布群组各自包括用以对应所述N个位准的N个临界电压分布曲线，N为大于2的整数；

依据一程序化指令而从所述N个位准中选出一第一操作位准与一第二操作位准；

参照该主要电压分布群组中对应该第一操作位准的该临界电压分布曲线，将该第一储存位置程序化至该第一操作位准；以及

依据该第一操作位准从该些次要电压分布群组中选取其一，并参照所选取的该次要电压分布群组中对应该第二操作位准的该临界电压分布曲线，将该第二储存位置程序化至该第二操作位准。

2.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中设定该些次要电压分布群组的步骤包括：

设定N个参考曲线，其中第1与第2个参考曲线之间的间距是由一偏移量与一感测窗相加而得，且第2至第N个参考曲线中两相邻参考曲线之间的间距为该感测窗；

将第2至第N个参考曲线沿着朝向第1个参考曲线的一预设方向同步移动，以缩减第1与第2个参考曲线之间的间距，并参照间距缩减后的该些参考曲线来设定第1个次要电压分布群组中的该些临界电压分布曲线；

参照该些参考曲线设定第2个次要电压分布群组中的该些临界电压分布曲线；以及

将第2至第N个参考曲线沿着该预设方向的反相方向同步移动，以增加第1与第2个参考曲线之间的间距，并参照间距增加后的该些参考曲线来设定第3个次要电压分布群组中的该些临界电压分布曲线。

3.根据权利要求2所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中所述的偏移量为第1个参考分布曲线因应第(N-1)个参考分布曲线所形成的偏移量。

4.根据权利要求2所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中设定该主要电压分布群组的步骤包括：

参照该些参考曲线设定该主要电压分布群组中的该些临界电压分布曲线。

5.根据权利要求2所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中依据该第一操作位准从该些次要电压分布群组中选取其一的步骤包括：

当该第一操作位准为所述N个位准中的第1位准时，从该些次要电压分布群组中选取出第1个次要电压分布群组；

当该第一操作位准为所述N个位准中的第2至第(N-1)个位准的其一时，从该些次要电压分布群组中选取出第2个次要电压分布群组；以及

当该第一操作位准为所述N个位准中的第N个位准时，从该些次要电压分布群组中选取出第3个次要电压分布群组。

6.根据权利要求1所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于更包括：

参照该主要电压分布群组来读取该第一储存位置；以及

依据该第一储存位置的读取结果而从该些次要电压分布群组中择一作为一特定电压分布群组，并参照该特定电压分布群组来读取该第二储存位置。

7.根据权利要求6所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中参照该主要电压分布群组来读取该第一储存位置的步骤包括：

感测来自该第一储存位置的电压；以及

将来自该第一储存位置的电压与该主要电压分布群组中的该些临界电压分布曲线所界定出的读取验证电压进行比对，以辨识出该第一储存位置所对应的读取位准。

8.根据权利要求7所述的非挥发性记忆体的操作方法，其特征在于其中依据该第一储存位置的读取结果而从该些次要电压分布群组中选取其一，并参照所选取的该次要电压分布群组来读取该第二储存位置的步骤包括：

感测来自该第二储存位置的电压；

依据该第一储存位置所对应的读取位准，从该些次要电压分布群组中选取出该特定电压分布群组；以及

将来自该第二储存位置的电压与该特定电压分布群组中的该些临界电压分布曲线所界定出的读取验证电压进行比对，以辨识出该第二储存位置所对应的读取位准。