[发明专利]制作半导体器件结构的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件结构的方法，包括：提供一衬底，该衬底上方形成有栅极结构；在栅极结构的外围形成有包括第一侧壁层结构和第一垫氧层结构的间隙壁结构；在衬底上形成外延区；去除所述间隙壁结构中的第一侧壁层结构并形成第一偏移侧壁层结构；在衬底中位于外延区的内侧且紧邻于外延区的位置形成轻掺杂区，在所述第一偏移侧壁层结构的外侧形成第二侧壁层结构；以及在所述外延区的上方且在该第二侧壁层结构的外侧形成硅化区且在所述衬底中形成源/漏极，得到所述半导体器件结构。该方法使得上述外延区上方形成的硅化区不被损伤，可以降低硅化区的电阻，减小半导体器件结构的片上电阻，由此提高了制备的半导体器件结构的电学性能。

主权项

一种制作半导体器件结构的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：提供具有离子阱的衬底，该衬底上方形成有对应该离子阱的栅极结构；在所述栅极结构的外围形成间隙壁结构，该间隙壁结构从外到内依次包括第一侧壁层结构和第一垫氧层结构；在所述衬底上位于所述第一侧壁层结构的外侧且紧邻于所述第一侧壁层结构的位置形成外延区；去除所述间隙壁结构中的所述第一侧壁层结构，并形成第一偏移侧壁层结构；在所述衬底中位于所述外延区的内侧且紧邻于所述外延区的位置形成轻掺杂区，该轻掺杂区的一部分位于所述第一偏移侧壁层结构的下方；在所述第一偏移侧壁层结构的外侧形成第二侧壁层结构；在所述外延区的上方且在该第二侧壁层结构的外侧形成硅化区，以及在所述衬底中且在该第二侧壁层结构的外侧形成源/漏极区，得到所述半导体器件结构。