[发明专利]制作半导体器件结构的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件结构的方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：

提供具有离子阱的衬底，该衬底上方形成有对应该离子阱的栅极结构；

在所述栅极结构的外围形成间隙壁结构，该间隙壁结构从外到内依次包括第一侧壁层结构和第一垫氧层结构；

在所述衬底上位于所述第一侧壁层结构的外侧且紧邻于所述第一侧壁层结构的位置形成外延区；

去除所述间隙壁结构中的所述第一侧壁层结构，并形成第一偏移侧壁层结构；

在所述衬底中位于所述外延区的内侧且紧邻于所述外延区的位置形成轻掺杂区，该轻掺杂区的一部分位于所述第一偏移侧壁层结构的下方；

在所述第一偏移侧壁层结构的外侧形成第二侧壁层结构；

在所述外延区的上方且在该第二侧壁层结构的外侧形成硅化区，以及

在所述衬底中且在该第二侧壁层结构的外侧形成源/漏极区，得到所述半导体器件结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述离子阱为N阱时，所述外延区为锗化硅外延区；

当所述离子阱为P阱时，所述外延区为碳化硅外延区。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底上位于所述第一侧壁层结构的外侧且紧邻于所述第一侧壁层结构的位置形成外延区进一步包括：

当所述离子阱为N阱时，在所述衬底上位于所述第一侧壁层结构的外侧且紧邻于所述第一侧壁层结构的位置形成凹槽，且在所述凹槽中填充锗原子和硅原子形成锗化硅外延区；

当所述离子阱为P阱时，在所述衬底上位于所述第一侧壁层结构的外侧且紧邻于所述第一侧壁层结构的位置形成凹槽，且在所述凹槽中填充碳原子和硅原子形成碳化硅外延区。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一垫氧层结构的形成方式是炉管氧化法、快速热氧化法或原位水蒸气产生氧化法；

所述第一侧壁层结构、所述第一偏移侧壁层结构和所述第二侧壁层结构的形成方式选自低压化学气相沉积、半大气压化学气相沉积和等离子体增强性化学气相沉积中的任一种。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述衬底中位于所述外延区的内侧且紧邻于所述外延区的位置形成轻掺杂区包括形成多个轻掺杂区。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述离子阱为N阱时，所述在所述外延区的上方且在该第二侧壁层结构的外侧形成硅化区包括形成为硅镍铂合金化合物的硅化区。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括：位于所述衬底上方的栅极绝缘层和位于所述栅极绝缘层上方的栅极金属层。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述第一垫氧层结构、所述第一侧壁层结构、所述第一偏移侧壁层结构和所述第二侧壁层结构的材料为氧化物、氮化物或两者的组合物，且所述第一垫氧层结构和所述第一侧壁层结构所选用的材料是不同的，所述第一垫氧层结构和所述第一偏移侧壁层结构所选用的材料是不同的，所述第一偏移侧壁层结构和所述第二侧壁层结构的材料是不同的。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，

采用气体为SiH₄、TEOS、O₂和O₃的混合气体制备材料为氧化物的所述第一偏移侧壁层结构、所述第一侧壁层结构和所述第二侧壁层结构；

采用气体为DCS、SiH₄和NH₃的混合气体制备材料为氮化物的所述第一偏移侧壁层结构、所述第一侧壁层结构和所述第二侧壁层结构。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述离子阱为N阱时，所述轻掺杂区的掺杂杂质为硼或BF₂；

当所述离子阱为P阱时，所述轻掺杂区的掺杂杂质为磷或砷。

11.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件结构的集成电路，其中所述集成电路选自随机存取存储器、动态随机存取存储器、同步随机存取存储器、静态随机存取存储器、只读存储器、可编程逻辑阵列、专用集成电路、掩埋式DRAM和射频电路。

12.一种包含通过如权利要求1所述的方法制造的半导体器件结构的电子设备，其中所述电子设备选自个人计算机、便携式计算机、游戏机、蜂窝式电话、个人数字助理、摄像机和数码相机。