[发明专利]防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201010212125.2 | 申请日： | 2010-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN101924138A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;王曦;黄晓橹;陈静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法。该MOS器件结构，包括Si衬底和位于Si衬底之上的有源区，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区，在沟道之上设有栅区，在源区、漏区及沟道两侧与Si衬底之间设有绝缘埋层，在沟道中部与Si衬底之间设有SiGe隔层。该MOS器件结构的沟道可以通过SiGe隔层向Si衬底导电导热，防止了器件的浮体效应及自加热效应；在源漏区及沟道两侧与Si衬底之间保留绝缘埋层，可减小源漏区的寄生电容。该器件结构采用Si\SiGe\Si外延层通过刻蚀、掺杂、选择性刻蚀、填充绝缘介质等工艺制备，其步骤简单，易于实施，具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 加热 效应 mos 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构，其特征在于，包括：Si衬底、有源区、栅区、绝缘埋层、SiGe隔层和浅沟槽隔离结构；所述有源区位于Si衬底之上，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区；所述栅区位于沟道之上；所述有源区与Si衬底由所述绝缘埋层和SiGe隔层隔开，所述SiGe隔层设置在沟道中部与Si衬底之间，所述绝缘埋层设置在所述源区、漏区以及沟道两侧与Si衬底之间，将所述SiGe隔层包围；对于NMOS器件，SiGe隔层采用P型的SiGe材料；对于PMOS器件，SiGe隔层采用N型的SiGe材料；所述浅沟槽隔离结构设置在有源区周围。
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