[发明专利]防止浮体及自加热效应的MOS器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构，其特征在于，包括：Si衬底、有源区、栅区、绝缘埋层、SiGe隔层和浅沟槽隔离结构；所述有源区位于Si衬底之上，所述有源区包括沟道以及分别位于沟道两端的源区和漏区；所述栅区位于沟道之上；所述有源区与Si衬底由所述绝缘埋层和SiGe隔层隔开，所述SiGe隔层设置在沟道中部与Si衬底之间，所述绝缘埋层设置在所述源区、漏区以及沟道两侧与Si衬底之间，将所述SiGe隔层包围；对于NMOS器件，SiGe隔层采用P型的SiGe材料；对于PMOS器件，SiGe隔层采用N型的SiGe材料；所述浅沟槽隔离结构设置在有源区周围。

2.根据权利要求1所述防止浮体及自加热效应的MOS器件结构，其特征在于：所述栅区周围设有绝缘侧墙隔离结构。

3.根据权利要求1所述防止浮体及自加热效应的MOS器件结构，其特征在于：所述绝缘埋层采用氧化硅或氮化硅材料。

4.一种防止浮体及自加热效应的MOS器件结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在Si衬底上依次外延生长SiGe层和Si层；

步骤二、刻蚀所述SiGe层和Si层，并进行掺杂，使它们在Si衬底上形成第一导电类型SiGe层和第一导电类型Si层，所述第一导电类型Si层用于形成有源区；

步骤三、在第一导电类型Si层上涂覆光刻胶，使其覆盖用于形成沟道的区域表面，然后利用选择性刻蚀技术去除位于第一导电类型Si层之下的部分第一导电类型SiGe层以形成SiGe隔层，使第一导电类型Si层中用于形成源区和漏区的区域下方以及用于形成沟道的区域两侧下方悬空；

步骤四、去除光刻胶，并在Si衬底上方的SiGe隔层和第一导电类型Si层周围填充绝缘介质；

步骤五、在第一导电类型Si层上制作栅区，并通过掺杂工艺在第一导电类型Si层中形成第二导电类型的源区及漏区，完成MOS器件结构。

5.根据权利要求4所述防止浮体及自加热效应的MOS器件结构的制备方法，其特征在于：在所述栅区周围制备绝缘侧墙隔离结构。

6.根据权利要求4所述防止浮体及自加热效应的MOS器件结构的制备方法，其特征在于：在步骤五中形成第二导电类型的源区及漏区时，通过离子注入先进行源区轻掺杂、漏区轻掺杂以及晕环注入，最后进行源区、漏区的第二导电类型离子注入。

7.根据权利要求4所述防止浮体及自加热效应的MOS器件结构的制备方法，其特征在于：步骤四填充的绝缘介质采用氧化硅或氮化硅材料。