[发明专利]半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201010209279.6 | 申请日： | 2010-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN102130008A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 余绍铭;张长昀 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供多个第一半导体鳍和多个第二半导体鳍于一基底的表面上方；以一掩模材料覆盖部分但非所有的第一半导体鳍；及使用具有一角度的注入工艺进行注入，借以使所有所述第一半导体鳍被该掩模材料阻挡，没有进行注入，且使所有的第二半导体鳍被注入。本发明使用具有一角度注入工艺掺杂半导体元件的半导体鳍，且提供一图案化光致抗蚀剂，覆盖部分但非所有的第一型态的半导体鳍，本发明使用具有角度的注入工艺，因此，所有的第二型态的半导体鳍被注入，而第一型态的半导体鳍皆没有被注入。本发明因为减少部分使用的光致抗蚀剂，可达成高倾斜或注入角度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供多个第一半导体鳍和多个第二半导体鳍于一基底的表面上方；以一掩模材料覆盖部分但非所有的第一半导体鳍；及使用具有一角度的注入工艺进行注入，借以使所有所述第一半导体鳍被该掩模材料阻挡，没有进行注入，且使所有的第二半导体鳍被注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
